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一种用于大规模单层六方氮化硼晶体集成制造的剥离方法

DOI:10.1021/acsnano.8b08712 期刊:ACS Nano 出版年份:2019 更新时间:2025-09-23 15:22:29
摘要: 六方氮化硼(h-BN)是除石墨外唯一已知由简单、稳定且非褶皱的原子级薄层构成的材料。虽然历史上以粉末形式用作润滑剂,但h-BN薄层作为终极薄绝缘体、屏障或封装材料具有特殊吸引力。目前几乎所有新兴电子和光子器件概念都依赖于从小块晶体剥离的h-BN,这限制了器件尺寸和工艺可扩展性。我们重点系统研究铂催化的h-BN晶体形成机制,通过集成化学气相沉积(CVD)工艺解决单层h-BN的集成难题——该工艺能在45分钟内生长出晶畴尺寸超过0.5毫米且连续融合的h-BN层。该工艺采用商用可重复使用的铂箔,并支持剥离工艺实现轻松洁净的h-BN层转移。我们展示了以原子层精度依次拾取组装石墨烯/h-BN异质结构的方法,同时最大限度减少界面污染。该方案可便捷结合其他层状材料,使CVD制备的h-BN能集成到高质量可靠的二维材料器件层叠结构中。
作者: Ruizhi Wang,David G. Purdie,Ye Fan,Fabien C-P. Massabuau,Philipp Braeuninger-Weimer,Oliver J. Burton,Raoul Blume,Robert Schloegl,Antonio Lombardo,Robert S Weatherup,Stephan Hofmann
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通过开发采用铂催化剂的集成化学气相沉积工艺,实现大尺寸单层六方氮化硼晶体的生长与洁净转移,以解决其集成难题,从而推动二维材料异质结构的规模化制备。

在铂基底上采用集成化学气相沉积工艺,能够生长出尺寸超过0.5毫米的大面积单层六方氮化硼晶体,并通过剥离实现洁净转移,从而促进高质量异质结构的组装,且界面污染极小。该方法解决了二维材料制造中的可扩展性难题,在电子和光子学应用方面展现出前景,不过仍需进一步优化工艺。

该研究仅以铂(Pt)作为催化剂,且工艺参数针对特定条件进行了优化,可能无法直接推广至其他催化剂或前驱体?;喑粱–VD)反应腔的本底压力可能导致残余气体参与刻蚀过程,铂箔的粗糙度可能影响外延取向。器件性能展示尚属初步阶段,需进一步优化以实现更广泛应用。

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