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轻掺杂n型β-Ga?O?与Mg/Au欧姆接触的电流传输机制

DOI：10.1088/1674-4926/40/1/012805 期刊：Journal of Semiconductors 出版年份：2019 更新时间：2025-09-23 15:22:29
摘要： 研究了轻掺杂β-Ga2O3的Mg/Au欧姆接触载流子输运机制。当样品在400°C退火时获得了优异的欧姆接触，其比接触电阻为4.3×10?? Ω·cm2。针对退火样品，研究了300至375K温度范围内的比接触电阻温度依赖性。测试温度升高时，比接触电阻从4.3×10??降至1.59×10?? Ω·cm2。结合E00判据判断，电流传输的基本机制以热电子发射理论为主导。通过热电子发射模型拟合实验数据，评估退火样品中Mg/Au与β-Ga2O3之间的有效势垒高度为0.1eV。
作者： Jianjun Shi，Xiaochuan Xia，Qasim Abbas，Jun Liu，Heqiu Zhang，Yang Liu，Hongwei Liang
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究轻掺杂β-Ga2O3的Mg/Au欧姆接触载流子输运机制，包括欧姆接触的形成、特定接触电阻的温度依赖性，以及确定主导电流传输理论和有效势垒高度。

研究成果

在400°C退火后，使用Mg/Au堆叠成功在β-Ga2O3上形成了欧姆接触，其比接触电阻随温度降低而减小。根据qE00/kT < 0.5的指标判断，电流传输机制以热电子发射理论为主导，有效势垒高度为0.1 eV。这为改进基于β-Ga2O3的功率器件提供了见解，建议未来研究聚焦于重掺杂材料。

研究不足

该研究仅限于轻掺杂β-Ga2O3；未对重掺杂情况进行探究。退火温度和时间固定，可能并非适用于所有条件。测量温度范围限定在300-375K，可能无法涵盖所有运行场景。所采用的特定金属堆叠（Mg/Au）可能不具普适性。

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