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通过电流瞬态谱分析AlGaN/GaN肖特基二极管的陷阱效应

DOI：10.3390/electronics5020020 期刊：Electronics 出版年份：2016 更新时间：2025-09-23 15:22:29
摘要： 通过电流瞬态谱分析了具有不同AlGaN势垒层组分的两个AlGaN/GaN肖特基二极管中的陷阱效应。在25至150°C的六个不同温度下，以恒定偏压测量了电流瞬态。所获数据仅通过三个叠加指数拟合即实现了实验与拟合数据的良好吻合。研究发现，被测结构中主要陷阱的激活能在0.77-0.83 eV范围内。该近乎一致的激活能既出现在-6 V反向偏压下测量的电流瞬态中，也出现在+1 V正向偏压下的测量结果里。这表明主要陷阱可能主要源于与位错相关的缺陷，这些位错主要连接着AlGaN/GaN界面附近的GaN缓冲层。
作者： Martin Florovi?，Jaroslava ?kriniarová，Jaroslav Ková?，Peter Kordo?
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

利用电流瞬态谱分析不同AlGaN势垒组分的AlGaN/GaN肖特基二极管中的陷阱效应，以识别主要陷阱态及其激活能。

研究成果

在AlGaN/GaN肖特基二极管中，主要陷阱的激活能被确定为0.77-0.83电子伏特，在不同偏压和样品中保持一致，表明这些陷阱很可能与AlGaN/GaN界面附近的缺陷相关，例如GaN缓冲层中的位错。与需要多个指数项的方法相比，这简化了陷阱分析。

研究不足

该研究仅限于特定成分的AlGaN/GaN肖特基二极管结构，其结果可能不适用于其他材料或器件构型。虽然仅使用三个指数项的拟合方法在此有效，但可能无法捕捉更复杂系统中的全部陷阱动力学特性。温度范围限定在25-150°C之间，偏压固定为-6V和+1V，可能遗漏其他条件下的效应。

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