研究目的
采用多尺度建??蚣苎芯慷嗑Я⒎教蓟瑁?C-SiC)的晶粒尺寸与断裂之间的相互作用。
研究成果
MD-PD多尺度框架成功预测了多晶3C-SiC中断裂强度遵循霍尔-佩奇定律(随晶粒尺寸减?。鳬型断裂韧性随晶粒尺寸增大。该框架为连接原子尺度特性与介观尺度行为提供了可靠方法,有助于理解微观结构-性能关系,并为未来复杂材料研究奠定基础。
研究不足
该研究依赖于计算模型(分子动力学和键级势模型),可能无法完全捕捉现实中的所有复杂因素,例如电子效应或实验变异性。分子动力学中的Tersoff势未包含电子自由度。键级势模型假设脆性断裂,并采用简化的基于键的相互作用,这可能无法解释所有断裂机制。晶界类型和尺寸仅限于模拟范围内,外推至其他条件可能需要验证。
1:实验设计与方法选择:
采用多尺度/多物理场框架,结合分子动力学(MD)进行原子尺度模拟和近场动力学(PD)进行介观尺度模拟。MD用于模拟具有不同晶界构型的单晶和双晶,PD则用于多晶系统。MD选用Tersoff原子间势函数描述3C-SiC的共价键结合,PD采用原型微脆性(PMB)模型进行脆性断裂建模。
2:样本选择与数据来源:
MD模拟包含25种不同晶体学取向的单晶及172个双晶(16个对称倾斜晶界、132个非对称倾斜晶界和24个随机晶界)。PD模拟使用通过Voronoi镶嵌生成的晶粒尺寸为200-550纳米的多晶胞体。
3:实验设备与材料清单:
计算模拟基于LAMMPS软件框架完成。因属纯计算研究,未使用实体设备。
4:实验流程与操作步骤:
MD模拟中,先对模拟体系进行300K下的NPT/NVT系综平衡,再以0.001/ps应变率施加单轴变形诱发I型断裂,提取弹性模量、断裂韧性等参数。PD模拟对多晶胞体施加类似单轴应变,其参数通过统计分析(蒙特卡洛模拟)从MD结果推导获得,并记录应力-应变响应。
5:001/ps应变率施加单轴变形诱发I型断裂,提取弹性模量、断裂韧性等参数。PD模拟对多晶胞体施加类似单轴应变,其参数通过统计分析(蒙特卡洛模拟)从MD结果推导获得,并记录应力-应变响应。
数据分析方法:
5. 数据分析方法:统计分析包括计算属性参数的均值、标准差及变异系数,对断裂应力数据进行威布尔分析。利用OVITO等软件通过能量差值与面积测量计算断裂能与韧性,并实现可视化。
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