研究目的
通过实验和数值研究，合理解释掺杂Pr3+的硒化物-硫系光纤中近红外和中红外的自发辐射现象。
研究成果
数值模拟与实验结果一致，确定了主导光致发光的电子跃迁过程。由于多种跃迁的贡献，中红外发光寿命比Judd-Ofelt分析预测的更短。该研究为开发中红外光纤光源提供了见解。
研究不足
分析因重叠跃迁、能级间能量差小、污染物可能造成的非本征吸收，以及探测器带宽限制和多声子速率计算精度不足而变得复杂。
1：实验设计与方法选择：
本研究结合光致发光光谱与衰减的实验测量，并采用速率方程数值建模来分析掺镨硒硫化物光纤中的辐射跃迁过程。
2：样品选择与数据来源：
通过熔融淬火法制备了500 ppmw掺镨GeAsGaSe块体玻璃光纤样品，并拉制成具有特定尺寸的阶跃折射率光纤。
3：实验设备与材料清单：
设备包括单色仪、MCT光电探测器（PVI-4TE6，Vigo Systems）、锁相放大器、示波器、1450 nm激光二极管泵浦源、光谱分析仪（横河AQ6370D）以及各种滤光片和透镜。材料包括纯化元素（As、Se、Ge、Ga、Pr）和石英玻璃安瓿。
4：实验步骤与操作流程：
通过从光纤一端泵浦并从另一端收集光来记录光致发光光谱，使用不同波长范围（近红外和中红外）的探测器。通过调制泵浦激光并平均信号以降低噪声来测量衰减曲线。
5：数据分析方法：
数值分析涉及求解速率方程以计算能级布居数和寿命，参数来自文献，并通过指数函数拟合实验数据。
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