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量子限制对多孔硅薄膜三阶非线性的影响

DOI:10.3390/app8101810 期刊:Applied Sciences 出版年份:2018 更新时间:2025-09-23 16:36:55
摘要: 我们采用Z扫描技术在800纳米和2.4微米波长下,对常规晶体硅(c-Si)与多孔硅(p-Si)的三阶非线性特性进行了实验研究。通过高斯分解法从实验数据中提取出非线性折射率n2和双光子吸收系数β。测得c-Si的非线性折射率为7±2×10?? cm2/GW,p-Si为?9±3×10?? cm2/GW;c-Si与p-Si的双光子吸收系数分别为2.9±0.9 cm/GW和1.0±0.3 cm/GW。研究表明相比c-Si,p-Si表现出更强的非线性折射增强效应和更显著的双光子吸收抑制效应,且这种增强效应随波长增加而更为明显。
作者: Rihan Wu,Jack Collins,Leigh T. Canham,Andrey Kaplan
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研究概述 实验方案 设备清单

比较p-Si与c-Si的非线性特性,并研究形貌和限制效应的可能影响,特别是探究不同波长下的三阶非线性(包括非线性折射率和双光子吸收系数)。

多孔硅相比晶体硅具有更强的非线性折射和抑制的双光子吸收效应,且这种增强效应随波长增长而提升,其有利的n2/βλ比值使其适用于全光开关等应用。

束流注量测定中的实验误差(高达30%)、2.4微米波长下因探测器灵敏度不足导致的高噪声和对准问题,以及p型硅线性光学常数的不确定性。

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