研究目的
提出一种以AgCu合金层为反射层的Ag反射器，作为高功率倒装芯片和垂直发光二极管（LED）的热可靠性反射器，在退火后实现更高的反射率和更低的接触电阻。
研究成果
经500°C退火处理的合金化AgCu/Ag反射器实现了78%的高反射率和7.0×10?? Ω·cm2的低接触电阻，其配套LED相比沉积态反射器具有更低的正向偏压和23%更高的光输出功率，使其成为适用于高效倒装或垂直LED的可靠热反射器。
研究不足
该研究仅限于特定的银和铜层厚度及退火条件；更高温度（例如600°C）会导致空洞区域增加并降低性能。该方法可能并非适用于所有LED结构或工业可扩展性。
1：实验设计与方法选择：
该研究通过电子束蒸发器在氮化镓基LED上沉积银（Ag）和铜（Cu）层，并在不同温度（300°C、400°C、500°C、600°C）的氧气环境中退火形成AgCu合金和CuO纳米点，从而制备合金化AgCu/Ag反射器。该设计旨在抑制银团聚并改善光学与电学性能。
2：样品选择与数据来源：
使用由蓝宝石衬底上的p型GaN、InGaN多量子阱（MQWs）、n型GaN及非掺杂GaN组成的LED。制备了两组不同银层厚度（30纳米和50纳米）的样品，在其上沉积1纳米铜层和150纳米银层。
3：实验设备与材料清单：
设备包括用于沉积的电子束蒸发器、退火炉、用于表面分析的扫描电子显微镜（SEM）、用于反射率测量的紫外-可见分光光度计（UV-Vis）、用于电学表征的参数分析仪（KEITHLEY-2420源表）以及用于光输出测量的Newport 1930C功率计。材料包括银（Ag）、铜（Cu）、钛（Ti）、铝（Al）、氮化镓（GaN）、氮化铟镓（InGaN）及蓝宝石衬底。
4：实验流程与操作步骤：
对LED进行刻蚀以暴露n型GaN，将n电极（Ti/Al）在550°C下退火，沉积Ag/Cu/Ag多层膜，将样品在指定温度下退火，并利用SEM、UV-Vis、I-V及L-I测量分析其结构、光学及电学性能。
5：数据分析方法：
利用初始沉积的银层校准反射率，采用圆形传输线模型（CTLM）图案测量接触电阻，并通过数据分析比较不同退火温度下的性能表现。
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ultraviolet-visible spectrophotometer
Agilent Cary 300 Bio UV-Vis
Agilent
Used to measure the reflectance of the Ag and alloyed AgCu/Ag reflector.
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parameter analyzer
KEITHLEY-2420 sourcemeter
KEITHLEY
Used to study the electric characteristics of the LED devices.
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e-beam evaporator
Used for depositing Ag and Cu layers on the LEDs.
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scanning electron microscopy
Used to investigate the evolution of the surfaces of the layers.
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powermeter
Newport 1930C
Newport
Used to measure the light output power–injection current characteristics.
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