研究目的
开发一种一步法制备工艺，在多种柔性基底上形成生物相容性配位复合物薄膜，以实现阻变随机存取存储器（RRAM）的三元存储性能。
研究成果
通过一步自组装法制备的TA-Fe(III)配位复合薄膜在不同柔性基底上展现出具有高保持时间和产率的稳定三进制存储性能，兼具良好柔韧性与生物降解性，为柔性可穿戴电子器件应用开辟了道路。
研究不足
三元器件的产率高达53%，但对于商业应用来说可能还不够；降解过程需要特定条件（醋溶液）；柔韧性测试仅限于弯曲，可能无法涵盖所有可穿戴场景；该机制基于合理的模型，但尚无确凿证据。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用一步自组装法在不同基底上合成TA-Fe(III)配位复合薄膜用于存储器件制备。理论模型包含电荷捕获和导电细丝机制来解释三值存储行为。
2：样品选择与数据来源：
基底包括ITO玻璃、PET、PI、打印纸和柚子叶。样品经过特定处理（如ITO用piranha溶液）并在pH=8.0条件下进行10-30次薄膜生长循环。
3：0条件下进行10-30次薄膜生长循环。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：材料含六水合三氯化铁、单宁酸、氢氧化钠、超纯水、乙醇、丙酮、PET、PI、纸张、叶片。设备包括原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见分光光度计、Keithley 4200-SCS电学测试仪、热蒸发镀膜机（用于铝沉积）。
4：实验流程与操作步骤：
清洁基底，必要时用piranha溶液处理，在pH=8.0的TA与Fe(III)混合溶液中浸渍生长薄膜，通过循环次数控制厚度，真空干燥后蒸镀铝电极，测量薄膜特性与器件性能。
5：0的TA与Fe(III)混合溶液中浸渍生长薄膜，通过循环次数控制厚度，真空干燥后蒸镀铝电极，测量薄膜特性与器件性能。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：使用AFM分析表面粗糙度，SEM进行元素分布成像，XPS作化学成分分析，UV-Vis获取光谱数据，Keithley测量I-V曲线，统计分析成品率与阈值电压。
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