1：实验设计与方法选择：

本研究采用简单的浸渍法结合高温退火工艺将钨掺杂入BiVO4单晶颗粒中，在不改变其结构和形貌的前提下提升电子性能。理论模型包含密度泛函理论（DFT）计算以理解电子变化。

2：样品选择与数据来源：

BiVO4单晶颗粒通过水热法使用NH4VO3和Bi(NO3)3·5H2O前驱体合成。W-BiVO4的制备是将BiVO4浸渍于乙醇中的WCl6溶液后进行退火处理。

3：实验设备与材料清单：

设备包括聚四氟乙烯内衬不锈钢高压釜、离心机、XRD衍射仪（Rigaku RINT-Ultima III）、紫外-可见分光光度计（JASCO V-670）、扫描电镜（Hitachi SU-8000）、电化学分析仪（Princeton Applied Research 2273）、恒电位仪（Hokuto Denko HSV-100）、太阳光模拟器（SAN-EI Electric XES-301 S）、氙灯（Asahi Spectra MAX-302）、分光辐射计（EKO Instruments LS-100）、气相色谱仪（Shimadzu GC-8A）及计算工具（VASP、BOLTZTRAP）。材料包括NH4VO3、Bi(NO3)3·5H2O、硝酸、氨水、乙醇、WCl6、Co(NO3)2、KPi电解液、AgNO3、La2O3及和光纯药工业的各种化学品。

4：0）、扫描电镜（Hitachi SU-8000）、电化学分析仪（Princeton Applied Research 2273）、恒电位仪（Hokuto Denko HSV-100）、太阳光模拟器（SAN-EI Electric XES-301 S）、氙灯（Asahi Spectra MAX-302）、分光辐射计（EKO Instruments LS-100）、气相色谱仪（Shimadzu GC-8A）及计算工具（VASP、BOLTZTRAP）。材料包括NH4VOBi(NO3)3·5H2O、硝酸、氨水、乙醇、WClCo(NO3)KPi电解液、AgNOLa2O3及和光纯药工业的各种化学品。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：BiVO4合成通过200°C水热处理12小时完成。钨掺杂采用乙醇中WCl6溶液浸渍、搅拌、干燥后500°C退火2小时。电极使用钛层和金层的颗粒转移法制备。光电化学测量采用三电极体系（Ag/AgCl参比电极和Pt对电极）在AM 1.5G光照下进行。光催化产氧在密闭系统中通过氙灯照射和气相色谱仪测定。

5：5G光照下进行。光催化产氧在密闭系统中通过氙灯照射和气相色谱仪测定。 数据分析方法：

5. 数据分析方法：采用XRD分析结构、UV-Vis测定吸收、SEM与EDS观察形貌与元素分布、XPS确定氧化态、Mott-Schottky曲线计算载流子浓度、I-V曲线评估导电性、IPCE计算及DFT研究电子特性。