研究目的
制备并评估一种新型三元异质结构（NiS2@MoS2/rGO），该结构具有增强的电磁吸收性能，可应用于增强材料强度、军事伪装及防护电磁污染对健康的危害。
研究成果
NiS2@MoS2/rGO复合材料展现出优异的电磁吸收性能，其最小反射损耗（RL）达-29.75分贝，有效吸收带宽宽达13.05吉赫兹，这归因于界面极化与协同效应。该材料有望应用于需要轻质、稳定且高性能吸波材料的领域。
研究不足
该研究在工业应用的可扩展性方面可能存在局限，样品合成的潜在变异性较高，且材料性能需进一步优化以适应更宽频段或环境稳定性要求。
1：实验设计与方法选择：
采用两步水热法合成锚定于还原氧化石墨烯（rGO）纳米片上的核壳结构NiS2@MoS2纳米球，通过调整复合比例优化阻抗匹配。
2：样品选择与数据来源：
按表1所列不同试剂配比（样品A、B、C）制备样品，所用化学品均采购自指定供应商。
3：实验设备与材料清单：
设备包括布鲁克D8高级X射线衍射仪（XRD）、日立S4800场发射扫描电镜（FE-SEM）、JEL-2100F透射电镜/能谱仪（TEM/EDS）、Tecnai G2 F20高分辨透射电镜（HRTEM）、ESCALAB 250 X射线光电子能谱仪（XPS）及安捷伦N5224A矢量网络分析仪（VNA）。材料包含六水合氯化镍、乙二醇、钼酸铵、硫脲、氧化石墨烯粉末及用于复合材料的石蜡。
4：实验流程与操作步骤：
先于200°C下水热反应12小时合成NiS2纳米球，随后将NiS2加入GO、钼酸铵和硫脲的混合液中，经200°C水热反应12小时制得NiS2@MoS2/rGO复合材料。通过XRD、SEM、TEM、XPS及VNA电磁吸收测试对样品进行表征。
5：数据分析方法：
基于VNA测量的散射参数推导电磁参数（复介电常数与复磁导率），利用传输线理论公式计算反射损耗（RL），通过分析衰减常数与阻抗匹配比评估吸波性能。
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