1：实验设计与方法选择：

本研究采用射频磁控溅射法，在不同射频功率（50、75、100、125瓦）条件下于n-Si(100)衬底上沉积GaN薄膜。研究目的是探究射频功率对薄膜结构、形貌及光学特性的影响。理论模型包括：Scherer公式计算晶粒尺寸、布拉格公式确定晶格参数、Tauc公式测定光学带隙。

2：125瓦）条件下于n-Si(100)衬底上沉积GaN薄膜。研究目的是探究射频功率对薄膜结构、形貌及光学特性的影响。理论模型包括：

2. 样品选择与数据来源：n-Si(100)衬底购自Sigma-Aldrich化学公司，GaN靶材（纯度99.99%）来自ACI Alloys公司。衬底通过RCA-1和RCA-2清洗流程去除污染物。

3：样品选择与数据来源：

3. 实验设备与材料清单：设备包括射频磁控溅射系统（PVD-Midas 3M型号，VK-1601-2）、紫外/可见/近红外分光光度计（LAMBDA 1050型号）、显微拉曼光谱仪（alpha300 R型号）、场发射扫描电镜（蔡司Sigma 300型号）、原子力显微镜（AFM-500II型号）及X射线衍射仪（PANalytical Empyrean型号）。材料包含GaN靶材、n-Si衬底、氩气和氮气。

4：99%）来自ACI Alloys公司。衬底通过RCA-1和RCA-2清洗流程去除污染物。 实验设备与材料清单：

4. 实验流程与操作步骤：衬底经清洗切割后，在100℃衬底温度下使用75 sccm氩气和3 sccm氮气进行溅射，沉积时间可调。采用表面轮廓仪P7（KLA-tensor）测量薄膜厚度，沉积后开展多项表征测试（紫外/可见光、拉曼、场发射扫描电镜、原子力显微镜、X射线衍射）。

5：2）、紫外/可见/近红外分光光度计（LAMBDA 1050型号）、显微拉曼光谱仪（alpha300 R型号）、场发射扫描电镜（蔡司Sigma 300型号）、原子力显微镜（AFM-500II型号）及X射线衍射仪（PANalytical Empyrean型号）。材料包含GaN靶材、n-Si衬底、氩气和氮气。 实验流程与操作步骤：

5. 数据分析方法：采用光谱与显微分析软件处理数据，统计技术包含光学带隙计算的线性拟合及拉曼光谱的高斯拟合。