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硅光子学中的热丝化学气相沉积:一个新兴的工业应用机遇

DOI:10.1016/j.tsf.2019.02.048 期刊:Thin Solid Films 出版年份:2019 更新时间:2025-11-21 11:20:42
摘要: 本工作在低于350°C温度下通过热丝化学气相沉积(HWCVD)制备的氮化硅(SiN)层上,制造并表征了多种硅光子器件,包括直波导、多模干涉器件和马赫-曾德尔干涉仪。这些氮化硅层的氢浓度为13.1%,低于相同沉积温度下等离子体增强化学气相沉积的氢浓度。实测采用HWCVD制备的直氮化硅波导在1550nm和1310nm波长处的最低光学传播损耗分别为6.1dB/cm和5.7dB/cm。我们证实HWCVD制备的氮化硅是硅光子器件制造的有效材料。
作者: A. Tarazona,F.Y. Gardes,G.T. Reed,H.M.H. Chong,T. Domínguez Bucio,S.Z. Oo,R. Petra,A.Z. Khokhar,Stuart A. Boden
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为验证热丝化学气相沉积(HWCVD)氮化硅(SiN)用于制备硅光子器件(包括直波导、多模干涉仪MMI及马赫-曾德尔干涉仪MZI)的可行性,通过表征其光学特性并与等离子体增强化学气相沉积(PECVD)SiN进行对比。

在400°C以下沉积的热壁化学气相沉积(HWCVD)氮化硅适用于硅光子学,在1310 nm波长下传播损耗为5.7 dB/cm,在1550 nm波长下为6.1 dB/cm。多模干涉器(MMI)和马赫-曾德尔干涉仪(MZI)等器件性能与等离子体增强化学气相沉积(PECVD)同类器件相当,但由于形貌缺陷导致损耗略高。HWCVD氮化硅较低的氢含量减少了吸收损耗,但空隙散射限制了性能。未来工作应聚焦于最小化形貌缺陷以改善损耗。

通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)估算的氢浓度和氮硅比可能因忽略硅-硅键而低估硅原子数量,不过对于近化学计量比的薄膜可视为影响可忽略。氮化硅中的孔隙等形貌缺陷会导致散射损耗,刻蚀形成的侧壁粗糙度也可能增加损耗。其传播损耗高于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅,表明材料形貌方面存在优化空间。

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