研究目的
采用氢化物气相外延（HVPE）结合选区生长（SAG）方法，在SiNx掩模上实现完全均匀且高质量InN纳米棒的定向生长。
研究成果
通过使用SiNx掩模的图案化Ga极性GaN/c-Al2O3模板进行HVPE生长，已实现六方结构且规则排列的InN纳米棒的完美选择性区域生长。这些纳米棒展现出高结晶质量、垂直取向性，以及对应于InN近带边的0.77电子伏特发射峰。下部存在的空心结构可能与生长机制相关。本工作展示了利用纳米棒的大比表面积特性，在未来器件中集成纯InN的潜力。
研究不足
纳米棒下部空洞的形成机制尚未完全明确，需要进一步的实验研究。与空洞形成相关的生长机理需给出全面解释。本研究仅限于特定生长条件（温度、V/III比）和掩模类型（SiNx），这些条件可能并非适用于所有应用场景。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用氢化物气相外延（HVPE）结合选区生长（SAG）技术，在SiNx掩模的Ga极性GaN/c-Al2O3模板上进行生长。通过调节生长温度和V/III比实现完美选择性和高结构均匀性。
2：样品选择与数据来源：
衬底为Ga极性GaN/c-Al2O3晶圆，表面通过化学气相沉积（CVD）覆盖SiNx层，并利用纳米压印光刻（NIL）制备直径200纳米、间距2微米的圆形开口图案。
3：实验设备与材料清单：
自制水平式常压热壁HVPE反应器，三氯化铟（InCl3）粉末、氨气（NH3）、超高纯氮载气、SiNx掩模、GaN/c-Al2O3模板。
4：3）、超高纯氮载气、SiNx掩模、GaN/c-Al2O3模板。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：将衬底置入HVPE反应器，源区温度490°C用于InCl3升华，混合区高温抑制寄生成核，生长区温度640°C。分压条件为NH3 1.3×10?1大气压、InCl3 2.1×10?3大气压，生长时间30分钟。
5：3×10?1大气压、InCl3 1×10?3大气压，生长时间30分钟。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：形貌采用扫描电镜（SEM）观察，物相与取向通过X射线衍射（XRD）分析，选择性与铟分布使用X射线荧光（XRF）面扫描，晶体结构借助透射电镜（TEM）表征，极性通过KOH腐蚀判定，光学性能采用光致发光（PL）测量。
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