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[IEEE 2018 IEEE Photonics Conference (IPC) - Reston, VA, USA (2018.9.30-2018.10.4)] 2018 IEEE Photonics Conference (IPC) - 40-Gbit/s 850-nm VCSEL-Based Full-CMOS Optical Link with Power-Data Rate Adaptivity

DOI:10.1109/IPCon.2018.8527238 出版年份:2018 更新时间:2025-09-04 15:30:14
摘要: An optical link based on directly modulated vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) at 850-nm wavelength using commercial VCSEL and photodiode operating error-free (BER < 10?12) at 40 Gbit/s is reported. The transmitter is implemented in a 14-nm FinFET CMOS while the receiver (RX) in 28-nm digital bulk-CMOS technologies. This is the fastest 850-nm VCSEL-based single-lane non-return-to-zero optical link with all the analog front-end components fabricated in CMOS. An energy-per-bit of 3.4 pJ/bit is measured at 40 Gbit/s. At the circuits can be decreased adaptively to save power. This results in 2.7 pJ/bit at 20 Gbit/s. A sensitivity of ?1.9 dBm optical modulation amplitude could be measured at the RX for 40 Gbit/s.
作者: Jan Pliva,Ronny Henker,Frank Ellinger,Mahdi Khafaji,Laszlo Szilagyi
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Investigating the performance of a 850-nm VCSEL-based optical link with power-data rate adaptivity implemented in CMOS technologies for high-speed data transmission.

The demonstrated optical link achieves error-free operation up to 40 Gbit/s with an energy-per-bit of 3.4 pJ/bit, making it the fastest 850-nm VCSEL-based single-lane NRZ optical link with all analog front-end components in CMOS. Power adaptivity allows reducing energy consumption at lower data rates, achieving 2.7 pJ/bit at 20 Gbit/s.

The study is limited to 850-nm wavelength and specific CMOS technologies (14-nm FinFET for TX and 28-nm digital bulk-CMOS for RX). The performance is evaluated up to 40 Gbit/s, and the energy efficiency is compared at lower data rates.

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