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Preparation of SiC Powders by Carbonthemal Reduction Method at Low Temperature

DOI:10.1051/matecconf/201711402015 期刊:MATEC Web of Conferences 出版年份:2017 更新时间:2025-09-23 15:19:57
摘要: The stable slurry was prepared by ball-milling with a certain proportion of silica fume as silicon source, glucose as carbon source and metal niobium (Nb) as additives mixed with alcohol water. After the slurry was dried and pulverized, put the powder into a tubular furnace heated to 650℃ for 2h under nitrogen atmosphere to prepare precursor, the heating rate was 5℃ /min. Treated the precursor under vacuum by carbothermal reduction method to prepare silicon carbide (SiC) powder. The effect of temperature and additive content on the morphology of synthesised silicon carbide and the impurity removal order on product purity were explored. After firing at 1300℃, 1400℃, 1500℃ for 2 h, the 3C-SiC powders are detected, and as the temperature increased, the crystallinity of the product become better. When the content of the additive is 1% of the quality of the silica fume, the particle size of the silicon carbide synthesized at the temperature of 1500℃ is even and the dispersion is better. As for the impurity removal order, removed SiO2 first, then removed C can effectively remove the impurities in the product.
作者: Zhao Wang,Xiao-Yuan Dai,Shao-Peng Xu,Man Xu
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研究概述 实验方案 设备清单

To explore the effect of temperature and additive content on the morphology of synthesized silicon carbide and the impurity removal order on product purity using carbothermal reduction method.

The study successfully prepared 3C-SiC powders at low temperatures using carbothermal reduction method. The addition of Nb improved the morphology and crystallinity of SiC. The optimal conditions were found to be at 1500℃ with 1% Nb content. Removing SiO2 first, then C, was effective in purifying the product.

The study focuses on the effect of temperature and additive content on SiC morphology and impurity removal order, but does not explore other potential additives or alternative methods for SiC preparation.

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