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Sacrificial Layer Technique for Releasing Metallized Multilayer SU-8 Devices

DOI:10.3390/mi9120673 期刊:Micromachines 出版年份:2018 更新时间:2025-09-23 15:23:52
摘要: The low fabrication cost of SU-8-based devices has opened the fields of point-of-care devices (POC), μTAS and Lab-on-Chip technologies, which call for cheap and disposable devices. Often this translates to free-standing, suspended devices and a reusable carrier wafer. This necessitates a sacrificial layer to release the devices from the substrates. Both inorganic (metals and oxides) and organic materials (polymers) have been used as sacrificial materials, but they fall short for fabrication and releasing multilayer SU-8 devices. We propose photoresist AZ 15nXT (MicroChemicals GmbH, Ulm, Germany) to be used as a sacrificial layer. AZ 15nXT is stable during SU-8 processing, making it suitable for fabricating free-standing multilayer devices. We show two methods for cross-linking AZ 15nXT for stable sacrificial layers and three routes for sacrificial release of the multilayer SU-8 devices. We demonstrate the capability of our release processes by fabrication of a three-layer free-standing microfluidic electrospray ionization (ESI) chip and a free-standing multilayer device with electrodes in a microchannel.
作者: Anand Tatikonda,Ville P. Jokinen,Hanno Evard,Sami Franssila
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To develop a sacrificial layer technique using AZ 15nXT for releasing metallized multilayer SU-8 devices, addressing the limitations of existing sacrificial materials in microfabrication.

AZ 15nXT is an effective sacrificial layer for multilayer SU-8 devices, offering stability during processing and efficient release. The developed methods enable fabrication of free-standing devices with metallization, demonstrated through successful ESI chip and metallized device applications. Future work could focus on further optimizing cross-linking parameters and expanding to other microfabrication processes.

The release process can be time-consuming (e.g., overnight immersion for Method 1), and thermal shock method leaves more residues on the silicon wafer, requiring additional cleaning. The stability of AZ 15nXT depends on cross-linking conditions, which may need optimization for different applications.

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