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Valley engineering by strain in Kekulé-distorted graphene

DOI:10.1103/PhysRevB.99.035411 期刊:Physical Review B 出版年份:2019 更新时间:2025-09-23 15:22:29
摘要: A Kekulé bond texture in graphene modi?es the electronic band structure by folding the Brillouin zone and bringing the two inequivalent Dirac points to the center. This can result in the opening of a gap (Kek-O) or the locking of the valley degree of freedom with the direction of motion (Kek-Y). We analyze the effects of uniaxial strain on the band structure of Kekulé-distorted graphene for both textures. Using a tight-binding approach, we introduce strain by considering the hopping renormalization and corresponding geometrical modi?cations of the Brillouin zone. We numerically evaluate the dispersion relation and present analytical expressions for the low-energy limit. Our results indicate the emergence of a Zeeman-like term due to the coupling of the pseudospin with the pseudomagnetic strain potential which separates the valleys by moving them in opposite directions away from the center of the Brillouin zone. For the Kek-O phase, this results in a competition between the Kekulé parameter that opens a gap and the magnitude of strain which closes it, while for the Kek-Y phase, it results in a superposition of two shifted Dirac cones. As the Dirac cones are much closer in the superlattice reciprocal space than in pristine graphene, we propose strain as a control parameter for intervalley scattering.
作者: Elias Andrade,Ramon Carrillo-Bastos,Gerardo G. Naumis
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To analyze the effects of uniaxial strain on the electronic band structure of Kekulé-distorted graphene for both Kek-O and Kek-Y textures, and to propose strain as a control parameter for intervalley scattering.

Uniaxial strain in Kekulé-distorted graphene modifies the band structure, with strain competing to close the gap in Kek-O phase and splitting valleys in Kek-Y phase, bringing Dirac cones closer in reciprocal space. This enables strain as an effective control parameter for intervalley scattering, with potential applications in valleytronics. Future work should address non-uniform strain and topological aspects.

The study assumes uniform strain and neglects second- and third-neighbor interactions, which may affect accuracy. It is theoretical and lacks experimental validation. The effects of non-uniform strain and topological properties are not fully explored and are noted as future work.

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