修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

44 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • 飞秒激光诱导热应力对细晶氧化铝断裂韧性的影响

    摘要： 采用飞秒激光在细晶氧化铝陶瓷棒上切割出尖端半径小于0.5微米的超锐V型缺口，通过单边V型缺口梁(SEVNB)法测定断裂韧性。为消除激光诱导热应力对断裂韧性测试的影响，测量前对带V型缺口的试样进行了退火处理。通过扫描电镜和显微拉曼光谱分析了缺口尖端的形貌。结果表明：存在激光热应力影响的细晶氧化铝断裂韧性值与退火后数值相等，可忽略激光诱导热应力对断裂韧性的影响。

    关键词： SEVNB法，断裂韧性，激光加工，热应力，氧化铝

    更新于2025-11-21 11:18:25

  • 盐酸清洗对InSb-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> MOS电容器的影响

    摘要： 本工作研究了HCl处理对InSb表面及InSb-Al2O3介质界面的影响。X射线光电子能谱(XPS)测试表明：采用异丙醇(IPA)稀释并冲洗的HCl溶液会在表面形成InCl3层，而类似的水基HCl工艺不会产生该层。该InCl3层在200°C至250°C温度区间从表面脱附。通过原子层沉积(ALD)在200°C和250°C制备Al2O3的金属-氧化物-半导体电容器(MOSCAPs)显示，InCl3的存在会导致平带电压正向偏移+0.79V。当温度升至250°C时InCl3层的脱附使该偏移逆转，但升高的工艺温度同时导致界面态电荷密度(Dit)和迟滞电压(VH)增加。这种不影响其他性能参数的平带电压偏移，为调控MOS晶体管阈值电压提供了可行途径，可实现增强型与耗尽型器件的并行制备。

    关键词： 表面清洁，III-V族半导体，原子层沉积，氧化铝，锑化铟，介电界面，MOS电容器，氯化氢

    更新于2025-11-14 17:28:48

  • 反表面化学对单晶硅无缺陷材料去除的影响

    摘要： 阐明材料去除机制对推动纳米技术发展仍具有基础性意义。本研究采用原子力显微镜对硅表面进行Al2O3微球纳米划痕测试，并以SiO2微球滑动产生的材料去除作为对照。研究发现：Al2O3微球在远低于塑性变形屈服极限的接触压力下即可在硅表面形成纳米沟道，该现象可归因于水参与的摩擦化学反应。高分辨透射电镜（HRTEM）检测证实了这种摩擦化学去除机制。进一步分析表明，硅表面的摩擦化学反应强烈受对偶面化学性质影响——对偶面化学通过改变形成键桥的活化能垒发挥作用，但对降低硅基底中Si-Si背键断裂的活化能垒影响甚微。与SiO2针尖相比，Al2O3针尖具有更长的使用寿命，在相同加工条件下制备的纳米沟道即使在KOH溶液中仍表现出更优的均匀性。这些发现为化学机械抛光和针尖纳米制造工艺提供了重要认知，并为丰富纳米摩擦学基础理论开辟了新视角。

    关键词： 摩擦化学去除、纳米划痕、对偶表面化学、氧化铝/硅配对

    更新于2025-11-14 17:03:37

  • 原位光致发光研究等离子体效应对氧化铝包覆晶体硅钝化的影响

    摘要： 通常观察到，在等离子体工艺（如非晶氮化硅沉积）后，氧化铝（Al2O3）提供的晶体硅表面钝化效果会出现退化。为尽量减少这种不利影响，需要更深入地理解等离子体粒子与Al2O3层之间的相互作用。通过原位光致发光技术，实时表征了原子层沉积法制备的Al2O3涂层晶体硅晶圆在氩氢等离子体暴露过程中，沉积态和退火态样品的钝化质量。沉积态样品的光致发光强度在等离子体点火后立即跃升，随后随等离子体暴露时间逐渐下降。然而，若样品在等离子体处理前经过退火，则仅能观察到光致发光信号的退化。研究提出用等离子体产生的真空紫外光与Al2O3层中不同类型化学键的相互作用来解释这些结果。理解导致沉积态与退火态样品在等离子体暴露下表现差异的机制和根本原因，是重新设计工艺流程以实现更好表面钝化的第一步。

    关键词： 原位光致发光、等离子体暴露、氧化铝、表面钝化

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 杂化有机-无机钙钛矿与原子层沉积Al2O3界面化学分析

    摘要： 通过原子层沉积（ALD）制备的超薄金属氧化物作为钙钛矿太阳能电池（PSCs）的防潮和热应力阻挡层备受关注。我们近期研究表明，在CH3NH3PbI3-xClx钙钛矿材料表面直接沉积10个周期的ALD Al2O3，可使电池效率提升至18%（无Al2O3覆盖的电池为15%），并保持超过60天的长期湿度稳定性?；诖?，本研究重点探究ALD Al2O3生长过程中钙钛矿发生的化学改性。具体而言，我们结合原位红外光谱监测与ALD Al2O3/钙钛矿界面的X射线光电子能谱分析：红外光谱显示钙钛矿NH3+伸缩模特征峰在ALD循环中几乎不变，表明ALD前驱体（Al(CH3)3）与共反应物（H2O）未扩散至钙钛矿体相；但通过对比镀膜前后红外光谱差异，发现钙钛矿表面发生NH3或CH3NH2脱附（对应N-H伸缩/弯曲振动负峰出现）。XPS分析证实该表面脱附现象且未观察到无机骨架氧化。同时，ALD Al2O3生长特征峰（Al-O-Al声子模与(OH)-Al=O伸缩模）的出现验证了其成膜过程。综合红外与XPS研究，我们提出了ALD Al2O3在钙钛矿表面生长的合理机制。

    关键词： 红外光谱、X射线光电子能谱、原子层沉积、氧化铝、钙钛矿

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 采用放电等离子烧结法合成的掺铕Al2O3透明陶瓷的光致发光、闪烁及热释光特性

    摘要： 我们采用放电等离子烧结（SPS）法合成了掺杂不同浓度Eu（0.001%、0.01%、0.1%和1.0%）的Al?O?透明陶瓷，并研究了其光致发光（PL）、闪烁和热释光（TSL）特性。在PL谱中，样品因Eu2?的5d-4f跃迁呈现400nm宽发射峰，以及Eu3?的4f-4f跃迁和Cr3?杂质离子的3d-3d跃迁产生的550-750nm多个锐利发射峰。除这些550-750nm峰外，闪烁谱中样品在300-400nm区间呈现两个可能源自F和F?中心（而非Eu2?的5d-4f跃迁）的宽峰。热释光曲线包含约100℃、160℃、210℃和320℃的发光峰。其中0.001% Eu掺杂样品的热释光强度最高，且经证实其热释光响应在0.1至1000 mGy辐照X射线剂量范围内呈线性关系。

    关键词： 透明陶瓷，闪烁体，铕，剂量计，氧化铝

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • [IEEE 2018年第14届无线电电子学、电信和计算机工程先进趋势国际会议(TCSET) - 乌克兰利沃夫-斯拉夫斯克(2018年2月20日-2018年2月24日)] 2018年第14届无线电电子学、电信和计算机工程先进趋势国际会议(TCSET) - 用于制造高能效有源光学元件的各向异性材料纳米工程

    摘要： 本文探讨了利用晶体纳米材料独特物理化学性质的最新研究进展，及其在制造高能效光学电池方面的潜在应用。通过溶液生长法，在Al2O3基体的介孔中培育了KDP和TGS纳米晶体，并讨论了其生长方向。采用X射线分析研究了所开发的纳米复合材料，结果显示KDP和TGS主要沿[001]晶向生长，该方向与圆柱形孔道方向一致。由此开发出在Al2O3基体介孔中生长KDP和TGS纳米晶体的方法，为制造高能效光学电池提供了前景。

    关键词： X射线分析、各向异性材料、晶体纳米复合材料、纳米多孔基质、氧化铝、纳米填料磷酸二氢钾和硫酸三甘肽

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 对ZrO?和Al?O?添加至氟磷灰石激光熔覆复合涂层在Ti6Al4V合金上影响的对比研究

    摘要： 采用Nd:YAG激光熔覆系统在Ti6Al4V基体上制备了含20 wt%氧化钇（3 mol%）稳定的立方相氧化锆（c-ZrO2，3Y-TZP）或20 wt%氧化铝（a-Al2O3）的氟磷灰石复合涂层。对比研究了两种涂层的界面形貌、物相组成、显微硬度和生物性能。结果表明：氟磷灰石/Al2O3试样在涂层与过渡层界面处发生更显著的元素互扩散；熔覆过程中涂层中的ZrO2和Al2O3组分完全分解或发生相变，且氟磷灰石部分分解。两种试样的涂层均含有氟磷灰石、CaF2和CaTiO3相，其中氟磷灰石/ZrO2涂层还包含TTCP、CaO、CaZrO3和m-ZrO2（单斜相），而氟磷灰石/Al2O3涂层则含有β-TCP、CaAl2O4和u-Al2O3。氟磷灰石/ZrO2涂层平均显微硬度（1300 HV）比氟磷灰石/Al2O3涂层（1100 HV）高约200 HV。两种试样在模拟体液中浸泡3天后均生成致密类骨磷灰石，表明具有良好的体外生物活性。但在24小时体外生物相容性测试中，氟磷灰石/ZrO2试样比氟磷灰石/Al2O3试样表现出更好的成骨样骨肉瘤MG63细胞初始黏附与铺展能力。

    关键词： Ti6Al4V、生物活性、生物相容性、氧化铝、激光熔覆、氟磷灰石、氧化锆

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 热处理过程中氮气压力对碳热氮化法合成氮化硅纤维形貌的影响

    摘要： 研究了氮气压力对碳热氮化法制备Si3N4纤维直径和形貌的影响。将溶胶-凝胶法制备的含二氧化硅和碳的混合前驱体置于氧化铝坩埚中，在1500℃下分别于0.1至0.5 MPa的不同氮气压力中进行热处理。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)结合能谱仪(EDX)以及透射电子显微镜(TEM)对热处理样品进行表征。实验形成了含α相和β相Si3N4的多种氮化物纤维。随着氮气压力升高，纤维直径减小，在0.5 MPa氮气压力下获得了直径约200纳米的纳米级纤维。研究发现，由于高氮气压力及来自氧化铝坩埚的铝掺杂，生成了氧氮化硅Si2N2O或其铝掺杂形式O'-SiAlON。该氧氮化物被认为通过直接相变机制充当了Si3N4纤维生长的模板。研究表明Si3N4纤维直径减小源于两个因素：高氮气压力导致SiO气体分压降低，以及氧氮化物模板形成量增加。

    关键词： 碳热还原、纳米纤维、氧化铝、氮化硅

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 剂量计α - Al?O?晶体中TSL等温衰减模型的验证

    摘要： 揭示了与阴离子缺陷氧化铝单晶中深陷阱相关的热释光（TSL）等温积累新特征。研究发现，630-750K范围内的TSL积累过程取决于发光曲线结构，并与存在Tm=700K的高温组分相关。经紫外辐照的样品在573K峰位表现出显著的等温TSL积累效应，而脉冲电子束辐照后该效应极弱。该峰位的TSL积累仅记录到F中心发光，但F2+中心和铬离子发射中均未出现。所得结果证实了考虑氧化铝中F中心激发态热电离过程的TSL积累动力学模型具有有效性。

    关键词： TSL积累、深陷阱、F中心的热电离、氧化铝、热释光

    更新于2025-09-23 15:22:29