2016年欧洲显微镜学大会：会议录 || 原位高分辨透射电镜观测揭示的结构转变

摘要： 随着原位透射电子显微镜（In-Situ TEM）技术的最新进展，它已成为理解材料结构-性能关系的关键手段。本研究证实，一维硅纳米线的形成机制始于界面处原子向硅晶格的侵入，且该形成过程通过界面原子侵入硅晶格而推进。我们还通过热力学分析探讨了一维硅纳米线的形成机制。研究发现，一维硅纳米线形成于界面三相点区域，其形成过程同样由界面原子侵入硅晶格推动。该形成机制也通过热力学分析进行了讨论。