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oe1(光电查) - 科学论文

7 条数据
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  • 柔性印刷有机晶体管中的三维单片集成

    摘要： 薄膜晶体管的直接打印技术在普适化、轻量化的可穿戴电子应用领域具有巨大潜力。然而印刷集成电路的进展仍十分有限。本研究提出一种三维（3D）集成方法，既能像光刻驱动的摩尔定律那样实现印刷晶体管密度的规模化扩展，又可提升器件性能。为验证该方法的可行性，我们通过高良率、高均匀性且具全年稳定性的打印工艺，在塑料箔上实现了双栅有机晶体管的可扩展3D集成。此外，通过三个互补型晶体管的3D堆叠，我们提出了一种可编程3D逻辑阵列方案，为设计新兴应用必需的印刷柔性数字电路提供了新途径。本研究所展示的3D单片集成策略适用于碳纳米管、氧化物半导体和二维半导体材料等其他新兴可打印材料。

    关键词： 印刷电子、有机晶体管、三维集成、双栅极晶体管、柔性电路

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [IEEE 2018年第19届国际电子封装技术会议（ICEPT）- 上海（2018年8月8日-2018年8月11日）] 2018年第19届国际电子封装技术会议（ICEPT）- 预处理对高深宽比硅通孔（TSV）铜填充的影响

    摘要： 以纯水作为预润湿溶液的超声与真空预处理可实现良好的润湿效果，不仅提升填充质量，也提高了填充速率。本文研究了以SPS（Na2(SO3(CH2)3S)2）作为预润湿溶液的预处理对三种商用镀槽体系中填充过程的影响。通过线性扫描伏安法（LSV）和电化学阻抗谱（EIS），我们分析了SPS在预处理中的功能机制。根据电化学测试结果，进一步在不同电流密度下进行了电镀实验，分析填充过程，并最终提出优化无孔隙电镀中添加剂比例及电参数的可行方案。

    关键词： TSV填充、预处理、电镀沉积、三维集成

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [2018年IEEE第15届第四组光子学国际会议(GFP) - 坎昆(2018.8.29-2018.8.31)] 2018年IEEE第15届第四组光子学国际会议(GFP) - 关于将SOI光子学上实现的量子光学对源转移到电子晶圆上的研究

    摘要： 基于绝缘体上硅技术实现了一种用于粗波分复用和密集波分复用发射的微环辅助光子对引擎。该光子芯片中光子对发射的符合计数显示出95%的可见度。在将器件晶圆级转移至1550纳米波段的BiCMOS电子晶圆后，仅观察到轻微的性能退化。

    关键词： 光子对源，三维集成，硅光子学，量子光学

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [IEEE 2019年第18届国际光通信与网络会议(ICOCN) - 中国黄山 (2019.8.5-2019.8.8)] 2019年第18届国际光通信与网络会议(ICOCN) - 基于MDM和WDM的聚合物/二氧化硅混合三维集成复用器

    摘要： 本文提出了一种基于模分复用(MDM)和波分复用(WDM)的聚合物/二氧化硅混合三维集成复用器。通过两个多模干涉(MMI)耦合器在不同层实现WDM，并采用三维集成非对称定向耦合器实现MDM。通过上层聚合物波导与下层二氧化硅波导的三维集成，实现了二氧化硅波导基模与聚合物波导一阶模之间的耦合，并利用结构紧凑的MMI耦合器实现了1310nm和1550nm波长通道的WDM。通过多材料混合集成与三维集成提高了芯片集成密度，通过MDM与WDM的多功能集成增强了芯片传输容量。

    关键词： MDM（多芯片?？椋?、混合集成、WDM（波分复用）、三维集成

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 一款采用BiCMOS-55纳米与PIC25G工艺的26Gb/s三维集成硅光子接收器，具有-15.2dBm OMA灵敏度

    摘要： 本信介绍了一种三维集成的26 Gb/s光电接收前端。电子集成电路（EIC）采用BiCMOS 55纳米工艺制造，通过铜柱倒装并置于光子集成电路（PIC）芯片上方。接收链路中，全差分并联反馈跨阻放大器（FD-SF TIA）后接具有限幅放大器（LAs）、嵌入式均衡、输出驱动及自动失调消除环路。该接收器整体提供76 dBΩ跨阻增益与30 GHz带宽。利用光子芯片上低寄生电容的锗双异质结光电二极管（Ge-PD）配合FD-SF TIA，接收器在Ge-PD端实现-15.2 dBm光调制幅度（OMA）灵敏度，在单模光纤（SMF）输出端达到-10 dBm OMA（PRBS 15、比特误码率10^-12）。该灵敏度与采用分立光子器件的最先进接收器相当，据作者所知，是已发表硅光子25 Gb/s接收器中报道的最低值。

    关键词： 锗双异质结光电二极管（Ge-PD）、三维集成、跨阻放大器（TIA）、限幅放大器（LA）、光电接收器

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 三维集成中的方差分析：一种具有距离相关性的统计统一模型

    摘要： 随着工艺尺寸缩小，可变性对未来制程扩展构成挑战。新兴的三维顺序堆叠技术成为超越摩尔定律扩展的替代方案。三维设计流程需要在不同层级间划分网表。本文展示了分层电路的可变性分析，比较了局部与全局变异对环形振荡器(RO)和SRAM的影响?？缧酒湟旒肮亓段П恢っ魇侨蠊婺＜傻缏返墓丶侍狻渲芯植勘湟煨哉贾鞯嫉匚??；诿商乜迥Ｄ獾木蔡骋荒Ｐ椭苯釉赟PICE模型中考虑了器件间距或不同层级分配导致的关联性。设计实践表明，如RO输出频率和SRAM静态噪声裕量所示，三维集成能进一步降低电路可变性。

    关键词： 芯片间变化（ACVs）、可变性、三维超大规模集成电路（VLSI）、静态随机存取存储器（SRAM）、噪声容限、蒙特卡罗（MC）方法、三维集成

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 三维信号/地硅通孔的高频电学特性表征

    摘要： 采用硅通孔（TSV）技术的三维集成因其卓越的封装效率而备受关注，该技术能实现更高功能密度、更优性能表现并降低功耗。要实现基于TSV技术的三维芯片设计，必须建立可靠的TSV电学模型。特别是随着信号速率进入吉赫兹（GHz）频段，高频电学特性表征最能准确描述TSV行为。本文采用通孔中段集成方案制备了5×50微米TSV，并通过S参数测试对其进行了高达65GHz的表征。测试结果显示：在50GHz频率下，测得单通孔衰减常数为0.35dB/通孔，时延为0.7皮秒/通孔。

    关键词： 时间延迟、三维集成、衰减常数、硅通孔（TSV）、S参数、高频电学特性表征

    更新于2025-09-09 09:28:46