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用于低温三维顺序集成栅堆叠的紫外纳秒激光退火
摘要： 对于三维顺序集成的顶层，我们提出一种低温栅极优先工艺：先在475°C下沉积原位掺杂非晶硅层，随后通过紫外纳秒激光退火将其转化为多晶薄膜。实验证明，该工艺能在保证底层器件电性能的热预算范围内，为顶层晶体管获得低电阻多晶硅栅极。
关键词： 紫外纳秒激光退火、多晶硅、三维顺序集成、低温栅极堆叠
更新于2025-09-16 10:30:52