用于功率电子器件的高击穿强度电沉积氧化锌肖特基二极管

摘要： 通过优化的电沉积法合成ZnO薄膜，实现了800 kV/cm的临界电场强度。该数值比单晶硅高出2至3倍，源自铂基底上电沉积柱状结构ZnO薄膜垂直肖特基二极管的应用。该器件展现出2.5×10^15 cm^-3的自由载流子浓度、3×10^8的整流比以及1.10的理想因子——这一数值在溶液法制备的ZnO中极为罕见。高击穿强度与高厚度加工能力使这种环保工艺成为电力电子和能量收集领域的重要选择。