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oe1(光电查) - 科学论文

67 条数据
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  • 以二氧化锡为可饱和吸收体的被动调Q掺铒光纤激光器的C波段可调谐性能

    摘要： 我们报道了以二氧化锡（SnO2）作为可饱和吸收体（SA）的被动调Q掺铒光纤激光器波长调谐特性的详细研究。作为典型的n型半导体，SnO2已广泛应用于气体传感器、氧化催化剂、透明导体及太阳能电池电极材料。本文通过将SnO2纳米颗粒与聚乙烯醇（PVA）复合制备了可饱和吸收体，并将该SnO2-SA器件通过夹在两个光纤套管之间集成到激光腔中。实验实现了1521至1565 nm的连续调Q激光输出，波长调谐范围达45 nm，几乎覆盖整个C波段。我们详细研究了不同波长下的调Q脉冲参数，包括重复频率、平均功率、脉宽、脉冲能量和峰值功率。实验结果表明，这种制备工艺相对简单的SnO2-SA器件是实现宽带可调谐激光应用的理想且具成本效益的解决方案。

    关键词： 可调谐性、C波段、Q开关掺铒光纤激光器、二氧化锡

    更新于2025-11-28 14:24:03

  • 锡掺杂Sr0.6(Na0.5Bi0.5)0.4TiO3无铅弛豫铁电陶瓷的增强储能性能

    摘要： 采用传统固相反应法制备了SnO2掺杂Sr0.6(Na0.5Bi0.5)0.4TiO3（NBT-ST）陶瓷，系统表征了其物相结构、微观形貌及电学性能。研究发现SnO2掺杂可增大晶格参数、密度和平均晶粒尺寸。适量SnO2能改善介电性能并影响NBT-ST基体的弛豫行为，从而有效降低能量损耗并优化储能性能。SnO2掺杂后储能性能显著提升，其中1 at.% SnO2掺杂的NBT-ST获得2.35 J/cm3的高可恢复能量密度，这主要归因于43.2 μC/cm2的大饱和极化强度、5.83 μC/cm2的小剩余极化强度以及180 kV/cm的高击穿场强。该组分还表现出良好的介电温稳定性与优异的抗疲劳特性。这些性能使其在无铅储能应用中极具潜力。

    关键词： 二氧化锡，无铅，介电，储能，NBT-ST

    更新于2025-11-14 17:28:48

  • 基于负载金有机-无机杂化钙钛矿与二氧化锡的室温光增强型电阻式NO?传感器

    摘要： 描述了一种用于气相检测NO?的材料。该材料具有Au/MASnI?/SnO?结构（其中MA代表甲基铵阳离子），通过先合成Au/MASnI?，再经煅烧在表面结晶SnO?制备而成。在室温和有无紫外光（365 nm）照射条件下，研究了该复合材料的物理特性及NO?传感性能，并探究了其NO?传感机制。表征证实p-MASnI?与n-SnO?形成了p-n异质结结构。该传感器在室温1.1 V电压下工作表现出优异的NO?传感性能，关键参数包括：(a) 高响应度（5 ppm NO?时Rg/Ra=240，Rg为测试气体中传感器电阻，Ra为空气中传感器电阻）；(b) 快速恢复（约12秒）；(c) 相较于仅基于SnO?或Au/SnO?的传感器，在室温和紫外光照下均具有卓越选择性；(d) 低检测限（55 ppb）；(e) 在0.5-10 ppm NO?范围内呈线性响应。性能提升主要归因于MASnI?的高光吸收能力、光生电子从MASnI?向SnO?导带的易生成与转移，以及金纳米颗粒的催化效应。

    关键词： 吸光材料、表面等离子体共振效应、光生电子、气体传感、p-n结、催化效应、异质结、二氧化锡、紫外光、甲脒碘化铅

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 微波辐照对SnO2薄膜电学和光学性能的影响

    摘要： 我们报道了在商用2.45 GHz微波炉中采用原子层沉积法生长的SnO2薄膜经微波辐照后的电学与光学特性，并将其与初始沉积态SnO2薄膜进行对比。微波辐照后，薄膜的导电性和透光率均得到提升。其中辐照5分钟的样品展现出最优性能：载流子浓度为1.5×102? cm?3、霍尔迁移率为4.6 cm2/V·s、电阻率为8×10?3 Ω·cm、透光率达到95.77%。这些性能改善主要归因于微波辐照过程中SnO2晶格内形成了氧空位。本研究成果可用于制备纯SnO2基透明导电氧化物——这类氧化物通常需要掺杂其他元素来实现导电性。

    关键词： 二氧化锡，透明导电氧化物，微波辐照，电学与光学性能

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • SnO?薄膜晶体管的电流、X射线衍射图谱与转移特性之间的相关性

    摘要： 以SiOC为栅绝缘层在n型硅衬底上制备了SnO2薄膜晶体管(TFT)，并研究了键合结构、SnO2薄膜接触特性与TFT转移特性之间的关联。SnO2薄膜的电流随结晶度增加而增大，且退火处理可提升SnO2结晶度。采用大流量氧气沉积的SnO2经退火后因结晶度降低呈现非晶结构。另一方面，高氧空位含量的非晶SnO2薄膜电流反而减小。但具有高肖特基势垒(SB)的非晶结构SnO2/SiOC TFT因其耗尽层扩散电流增强效应，展现出比结晶态TFT更高的双极型转移特性稳定性及迁移率。

    关键词： 非晶结构、二氧化锡、电容、薄膜晶体管、X射线衍射

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 基于高压合成掺锂ZnO作为空穴源的纳米结构SnO2异质结紫外电致发光

    摘要： 我们报道了以纳米结构SnO?为n型层、高温高压(HTHP)法合成的锂掺杂ZnO(ZnO:Li)为高空穴浓度p型层的n-SnO?/p-ZnO异质结发光二极管中的紫外(UV)电致发光(EL)现象。该异质结采用纳米带(NBs)和纳米线(NWs)两种SnO?纳米结构制备n型层。不同SnO?纳米结构构成的两种异质结在EL测试中展现出各异的发光特性：SnO?纳米带/p-ZnO异质结在正向偏压下呈现中心波长416 nm的蓝光发射带；而SnO?纳米线/p-ZnO异质结则观测到位于391 nm的强紫外发射峰。光致发光(PL)光谱表明这种EL差异源于纳米结构SnO?层形貌依赖的发光特性。研究结果表明，这种纳米结构SnO?/ZnO:Li异质结是紫外光电子领域极具潜力的候选体系。

    关键词： 高温高压法、发光二极管、纳米带、纳米线、二氧化锡、锂掺杂氧化锌

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 化学合成SnO2-RuO2混合薄膜的电化学性能

    摘要： SnO2-RuO2混合薄膜采用连续离子层吸附与反应(SILAR)法制备。通过改变SILAR沉积循环次数制备了SnO2与RuO2复合薄膜，研究了SnO2与RuO2复合对结构、形貌及电化学性能的影响。结果表明：随着RuO2沉积循环次数增加，SnO2的晶态特性转变为非晶态，形貌也从纤维多孔状变为致密状。SnO2与RuO2复合后比电容从4 F/g提升至185 F/g，当RuO2达到最大利用率时比电容为1010 F/g。

    关键词： 二氧化钌、二氧化锡、超级电容器、薄膜、化学合成、充放电

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 透明导电材料（材料、合成、表征、应用）|| 金属氧化物（ITO、ZnO、SnO?、TiO?）

    摘要： 透明导电氧化物（TCO）材料类别兼具两种看似矛盾的物理特性：在可见光和近红外（NIR）光谱范围内具有高光学透过率（类似绝缘体），同时具备高电导率（类似金属）。这两大关键特性使TCO材料非常适用于薄膜太阳能电池、平板显示器、发光器件或加热窗等领域的透明薄膜电极。

    关键词： 氧化锌、发光器件、二氧化锡、透明导电氧化物、薄膜电极、氧化铟锡、太阳能电池、二氧化钛、平板显示器、透明导电氧化物

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 通过化学电阻材料设计实现正交气体传感器阵列

    摘要： 气体传感器阵列通常缺乏对不同分析物的区分能力以及对干扰物的鲁棒性，这限制了其在研究实验室之外的应用效果。这主要源于构成传感器的广泛敏感特性（因而选择性较弱）。本研究通过选择性传感器设计，探究了正交性对阵列准确性与精确度的影响。为此，通过系统改变阵列规模与组成，构建了包含2至5个选择性与非选择性传感器的阵列组合。采用氨气、丙酮和乙醇在ppb至低ppm浓度范围内的60种随机组合进行性能评估。结果显示：具有高度正交性的阵列能获得最佳分析物预测效果，其决定系数（R2）分别达到氨气0.96、丙酮0.99和乙醇0.88——该效果通过使用高选择性传感器（用于氨气的Si:MoO?、用于丙酮的Si:WO?及Si:SnO?组合）实现，这些传感器提升了区分能力并稳定了回归系数。相比之下，共线性传感器阵列（Pd:SnO?、Pt:SnO?和Si:SnO?）几乎未能改善气体预测效果，其R2值分别为氨气0.01、丙酮0.86和乙醇0.28；有时甚至低于单传感器表现，例如单独的Si:MoO?传感器对氨气的预测R2可达0.68。

    关键词： 乙醇、三氧化钨、二氧化锡、电子鼻、氨气、气体传感器、丙酮、火焰喷雾热解法、三氧化钼

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 雾化器喷雾沉积SnO2薄膜的摩尔浓度对其物理性能的影响

    摘要： 本文采用雾化喷雾法，在0.01-0.09 M浓度范围内于非晶玻璃基底上制备了二氧化锡(SnO2)薄膜，并研究了前驱体浓度对薄膜电学、形貌、结构、光学及光致发光性能的影响。XRD谱图显示当浓度为0.03-0.09 M时，SnO2薄膜呈现具有(110)择优取向的四角晶系多晶结构，估算平均晶粒尺寸介于22-53 nm之间。UV-可见光谱表明薄膜在可见光区透射率保持在78%-90%范围。随着前驱体浓度增至0.07 M，直接带隙能从3.83 eV降至3.71 eV后再度升高。室温光致发光光谱在362 nm处出现强峰伴376 nm肩峰，另在493 nm和518 nm处呈现两个宽峰。SEM分析显示多面体状晶粒均匀分布于薄膜表面。0.07 M浓度制备的薄膜表现出最低电阻率2.41×10?3 Ω·cm和最优品质因数16.41×10?3 (Ω/□)?1。

    关键词： 二氧化锡，电学测量，光学，非球面透镜（或纳米颗粒等，NSP具体含义需结合上下文确定）

    更新于2025-09-23 15:21:21