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oe1(光电查) - 科学论文

20 条数据
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  • 通过快重离子辐照产生的潜径迹改性的MoSe?场效应晶体管中的电子输运

    摘要： 过渡金属二硫化物（TMDCs）具有可调带隙和超薄体厚度等独特特性，使其成为光电子、气体传感和储能器件应用的潜在候选材料。本工作采用1.8 GeV钽离子（离子注量范围1×10?-6×101? ions cm?2）在MoSe?中引入非晶缺陷区（潜径迹），研究辐照后TMDC沟道场效应晶体管（FETs）的电子输运行为?？熘乩胱臃沼盏嫉牟牧先毕荻云骷τ镁哂兄匾跋臁＝峁砻鳎核孀爬胱幼⒘吭黾?，载流子迁移率下降而器件电阻急剧上升。我们详细分析了潜径迹对TMDC沟道FETs电子输运行为的影响机制，推定电子布洛赫波会受到SHI辐照诱导潜径迹的强局域化作用，同时也会发生散射。本研究有助于探究潜径迹对其他二维材料电子输运的影响。

    关键词： 潜在径迹、场效应晶体管、二硒化钼、电子输运、快重离子辐照

    更新于2025-11-14 17:03:37

  • 亚波长天线上的晶格岑克模式

    摘要： 由过渡金属二硫化物、锗、碳化物等常见高光学损耗材料制成的孤立纳米颗粒中，其光学共振较弱，既不足以实现场增强效应，也难以与贵金属纳米颗粒中的等离子体共振相媲美。本研究提出了一种新方法，可在这类高光学损耗纳米颗粒阵列中产生强共振，并揭示了其在超薄光学元件高效光控、传感及光伏应用中的潜力。通过研究具有大介电常数虚部（LIPP）的材料，发现这些材料的纳米结构不仅能支持被称为泽尼克波的表面模式，还能支持亚波长颗粒上的局域模式。该方法无需借助等离子体或高折射率材料，即可激发强局域化纳米颗粒共振。将LIPP颗粒排列成周期性阵列至关重要，由此产生的集体阵列共振比单颗粒共振强得多。这种集体晶格共振可通过主要由阵列周期决定的波长激发，从而在不受颗粒介电常数、尺寸或形状限制的情况下，轻松实现宽光谱范围内的灵活调控。

    关键词： 过渡金属二硫化物，晶格共振，Kerker效应，二硒化钼，定向散射，纳米粒子阵列

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 直接Z型MoSe2修饰TiO2纳米管阵列光催化剂用于水净化

    摘要： 探索具有高效电荷分离和卓越氧化还原能力的Z型异质结光催化剂十分必要但极具挑战性。本研究通过简便的原位水热法制备了一种新型直接Z型MoSe2修饰TiO2纳米管阵列光催化剂（记为MoSe2@TNTs）。少层MoSe2纳米片均匀分布于TNTs表面且未遮蔽管状结构。与单一TNTs和MoSe2相比，所制备的MoSe2@TNTs复合物对消除污染物（如4-硝基苯酚和六价铬）表现出更优异的光催化活性。研究结果表明：适量MoSe2作为助催化剂与TNTs结合形成直接Z型结构而非传统II型异质结，能产生具有高氧化还原能力的丰富光生活性物种。

    关键词： 光催化、二氧化钛纳米管阵列、Z型机制、二硒化钼

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 通过不同边缘结构调控锯齿形MoSe2纳米带的电子和磁性能

    摘要： 本文通过第一性原理计算研究了不同边缘结构对锯齿形MoSe?纳米带稳定性、电子及磁性能的影响，以及氢饱和边缘后相应性质的变化。鉴于Mo与Se原子的化学非等价性，我们考虑了十二种边缘结构构型。通过结合能分析发现H-NR-u和H-NR-s具有最高稳定性。特别值得注意的是，无论是否氢化，所有锯齿形MoSe?纳米带均呈现明显金属性。此外，原始和氢化的锯齿纳米带均具有稳定的亚铁磁性，总磁矩范围宽达0.27–3.59 μB。以Mo终止的纳米带具有最大磁矩，而氢化能显著降低纳米带的磁矩。我们还揭示相同终端的锯齿MoSe?纳米带具有非常相似的稳定性、电子及磁性能，这与体系对称性无关。这些锯齿MoSe?纳米带的独特性质使其在未来电子、自旋电子学和磁阻纳米器件领域具有重要应用潜力。

    关键词： 氢化、纳米带、亚铁磁性、第一性原理计算、二硒化钼

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 金(111)界面工程促进1T′-MoSe?生长

    摘要： 二维过渡金属硫族化合物（TMDCs）因其不同相态的独特性质而成为相位可控合成的研究热点。然而由于第六族TMDCs金属相的亚稳特性，其制备面临挑战。在单层尺度上，界面工程可用于稳定亚稳相。本研究通过分子束外延技术，在Au(111)基底上实现了单层1H或1T'-MoSe2的选择性生长；利用扫描隧道显微镜与谱学技术可明确区分这两种相态。原始Au(111)基底更利于1H-MoSe2生长，而预沉积Se则促进1T'-MoSe2形成。密度泛函理论计算证实，Se预处理Au(111)基底上1T'-MoSe2相的选择性生长源于Mo插层诱导的1T'相稳定化机制。此外，实验观察到1T'孪晶界和1H-1T'异质结并发现其具有增强的隧穿导电性。该基底预处理相位调控外延策略可推广至Au(111)上其他第六族TMDCs的生长。

    关键词： 相位控制、异质结、扫描隧道显微镜/谱学、界面工程、过渡金属二硫化物、二硒化钼

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 涡轮无序MoSe2超薄膜的超低热导率及其对异质结构的启示

    摘要： 采用调制元素反应物（MER）法合成了含8、16、24、32和64层MoSe2的薄膜。X射线反射率图谱显示退火后薄膜厚度达到目标层数且界面原子级光滑。面内X射线衍射扫描仅呈现单层MoSe2晶体的hk0衍射峰。镜面反射X射线衍射图谱仅含00l衍射峰，表明MoSe2层的hk0晶面与衬底平行。X射线衍射与电子显微镜分析均显示大范围内各hk0晶面间存在旋转无序排列，所有取向概率均等。即使分析点位间距小于10纳米时，MoSe2层间仍存在旋转无序。时域热反射法测得0.07–0.09 W m-1 K-1的垂直平面热导率，其中最薄薄膜热导率最低。结构分析表明超低热导率源于旋转无序导致层间距增大。层间旋转无序还使Se原子键合环境显著偏离C3v对称性。这种结构无序有效降低了横向声子模式的群速度但对纵向模式影响甚微。由于异质结构中组分晶格失配时相邻层间易产生旋转无序，本研究预示此类异质结构将具有极低的垂直平面热导率。

    关键词： 旋转无序、异质结构、过渡金属二硫化物、湍层无序、热导率、二硒化钼

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 基于手性等离子体超表面和单层二硒化钼的超薄圆偏振仪

    摘要： 二维材料因其超薄厚度及优异的光学和电学特性，成为探索新奇物理现象与光电器件应用的理想平台。近年来，通过结合金属纳米结构增强光与二维材料相互作用的研究（如增强光致发光、强耦合及功能化光电子器件）引发了广泛关注。本研究提出一种由手性等离子体超表面与单层半导体构成的超薄圆偏振仪，可在紧凑器件中检测不同圆偏振光。实验将波长量级厚度的手性等离子体超表面与单层MoSe?集成，证实了左右旋手性超表面对左/右旋圆偏振光的光电流响应均具有圆偏振依赖性，并测得光响应圆二色性，进一步验证了该器件检测与区分圆偏振光的卓越性能。该设计为未来集成光学及圆偏振光电器件应用提供了一种在超薄超紧凑二维器件中实现多功能测量的重要方案。

    关键词： 圆偏振仪、手性等离子体超表面、二硒化钼、光电流响应、二维材料

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 通过3d过渡金属掺杂增强2H-MoSe?的光催化活性

    摘要： 为开发基于MoSe2的光催化剂，提高2H-MoSe2的催化活性至关重要。本研究通过第一性原理计算，探究了3d过渡金属（Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu和Zn）掺杂2H-MoSe2的电子与光催化特性。结果表明：在富硒条件下，Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe和Co原子倾向于取代Mo位点，而Ni、Cu和Zn原子更易占据间隙位置。更重要的是，Sc和Ti掺杂能通过增强光生空穴的氧化能力、抑制光生载流子复合及增加催化活性位点数量来提升2H-MoSe2的光催化活性。

    关键词： 光催化活性，2H-二硒化钼，3d过渡金属掺杂，电子性质，第一性原理计算

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 用于非对称超级电容器的二维-二维MoSe?/石墨烯纳米杂化电极材料的声化学合成

    摘要： 硒化钼（MoSe?）纳米片通过简便的声化学法制备。为优化合成工艺，在500 W恒定功率下测试了三种不同超声时间（15、30和45分钟）。为提升剥离MoSe?纳米片的电化学性能，我们采用简单溶剂热法实现了二维MoSe?与二维石墨烯的复合。剥离的MoSe?纳米片垂直定向生长于石墨烯纳米片表面，其边缘具有大量电化学活性位点，而石墨烯片层能有效促进电极-电解质界面的离子传输。循环伏安测试表明该MoSe?/石墨烯纳米杂化电极具有赝电容特性。恒电流充放电研究表明，在1 A g?1电流密度下比电容达945 F g?1。组装的非对称超级电容器（ASC）器件在1 A g?1时表现出75 F g?1的比电容，能量密度为26.6 W h kg?1，功率密度为0.8 kW kg?1，且经过3000次循环后仍保持88%的初始电容。

    关键词： 二硒化钼，非对称超级电容器，声化学合成，石墨烯，纳米杂化物，电化学性能

    更新于2025-09-23 16:36:26

  • 通过E-ALD方法在Ag(111)基底上生长MoAd和MoSe2的成功与问题

    摘要： 本文研究了从碱性水溶液中在Ag(111)基底上电沉积Moad（钼吸附层）的条件。此外，还展示了MoSe?生长的初始阶段，通过在已沉积的Moad上沉积Sead实现。研究也探索了在Sead/Ag(111)上沉积Moad的过程。MoSe?因其独特的光电特性而备受关注，适用于太阳能转换和纳米电子学领域。本研究采用电沉积技术作为比真空技术更可持续的合成方法。电化学原子层沉积（E-ALD）法因其符合绿色能源要求并能实现严格的结构与形貌控制，成为生长无机半导体薄膜的合适技术，已引起科学界的广泛关注。该方法通过表面受限反应（SLRs）交替沉积构成化合物半导体的不同化学原子层。因此，E-ALD是在严格结构与形貌控制下生长化合物半导体薄膜最具前景的电沉积技术之一?；诖耍珽-ALD可视为生长二维材料的理想技术。

    关键词： 二维材料，二硒化钼，纳米电子学，电感耦合原子层沉积

    更新于2025-09-24 05:39:32