二茚并苝和并五苯在热能及高热能入射动能下的成核过程

摘要： 作者主要采用原子力显微镜研究了二茚并苝（DIP）在二氧化硅基底上的成核过程，重点分析了热源与超声速源两种入射动能的影响。在所有测试的入射动能范围（Ei=0.09-11.3 eV）内，DIP成核均呈均匀分布，且最大岛密度与生长速率的关系符合幂律规律。数据显示临界晶核约由两个分子构成。重新检验五苯并芪在二氧化硅上的成核过程也得出相同主要结论：最大岛密度由生长速率决定，且与入射动能无关。通过考量各体系中临界晶核尺寸及岛密度可知，在亚单层生长阶段，分子向生长岛的扩散输运主导了生长动力学过程。