基于GaInP/Ga(In)As/Ge异质结构的多结太阳能电池中提高Ga(In)As子电池光电流的方法

摘要： 对三结GaInP/Ga(In)As/Ge太阳能电池中Ga(In)As子电池的光谱特性进行了实验与理论研究。研究发现：在Ga(In)As子电池中采用最佳厚度（Ga0.51In0.49P为100 nm、Al0.4Ga0.6As为110 nm、Al0.8Ga0.2As为115 nm）的宽带隙"窗口"层可使响应光电流提升约0.5 mA/cm2；将GaInP子电池后势垒材料从Al0.53In0.47P改为p+-Ga0.51In0.49P或AlGaAs，可使Ga(In)As子电池短路电流额外增加约0.8 mA/cm2；用宽带隙n++-Ga0.51In0.49P层替代隧道二极管中的n++-GaAs层可使光电流提升约1 mA/cm2。