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CuS及rGO包覆CuS纳米复合材料的电导率和介电行为的温度与频率依赖性研究
摘要： 在本研究中，我们开发了一种简单且低成本的策略，通过铜与氧化石墨烯（GO）之间明显的氧化还原转化反应（无需任何添加剂），实现还原氧化石墨烯（rGO）包覆硫化铜（CuS）纳米复合材料的一锅法合成。采用多种物理化学技术对制备的CuS及rGO包覆CuS纳米复合材料进行表征，以观察其形貌、结构和形态。结果显示，合成样品的平均尺寸为10-30纳米，具有六方结构。紫外-可见吸收光谱表明，CuS和rGO包覆CuS复合材料在近红外区域表现出强烈的吸收峰。合成的样品在较宽的频率范围（102-10? Hz）内显示出高介电常数和电导率。我们还研究了温度对合成的rGO包覆CuS纳米复合材料电导率的影响。优异的电导性能归因于CuS与rGO之间的协同效应。随着温度升高，rGO包覆CuS复合材料在高温下的最大电导率呈指数增长。这种具有高介电常数和电导率的合成复合材料是高电容领域极具前景的材料，进一步可作为超级电容器和储能应用的电极材料。
关键词： 电导率、温度效应、硫化铜纳米复合材料、还原氧化石墨烯、介电常数
更新于2025-11-21 11:18:25
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(1-x)PVDF/(x)BaTiO3纳米复合薄膜的温度依赖性介电响应
摘要： 采用溶液浇铸法，以二甲基甲酰胺为溶剂制备了PVDF/BaTiO3纳米复合薄膜。测定了PVDF及PVDF/BaTiO3复合材料介电常数和损耗角正切随频率（20Hz至2MHz）和温度（80至425K）的变化关系。复合样品中观察到显著的介电常数ε'增强效应。由于界面极化作用，损耗角正切(tanδ)在低频区达到最大值。受合成工艺影响，复合样品中PVDF发生α相向β相的转变，从而形成偶极弛豫。PVDF与PVDF/BaTiO3纳米复合材料的偶极特性在200K以下被抑制。200-270K区间内tanδ峰对应的活化能值(0.43-0.69eV)与偶极弛豫过程的活化能相符。随着BaTiO3填料含量增加，弛豫时间(τ)缩短，而偶极数密度从纯PVDF的4.06×1021cm-3增至(0.5)PVDF/(0.5)BaTiO3复合材料的6.62×1023cm-3，证实PVDF/BaTiO3复合材料中存在显著的偶极弛豫现象。
关键词： 介电弛豫、活化能、介电常数、PVDF/BaTiO3纳米复合材料
更新于2025-11-14 17:28:48
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铁掺杂室温稀磁ZnO半导体研究
摘要： 通过固相反应法烧结了不同组分的Zn1-xFexO（ZFO）系列陶瓷样品。当x < 0.03 mol时，获得了具有六方纤锌矿结构的单相多晶铁掺杂氧化锌样品，XRD图谱中未发现铁及其氧化物的偏析现象。当x ≥ 0.03 mol时检测到微弱的ZnFe2O4第二相。介电性能分析证实存在欧姆导电性，其麦克斯韦-瓦格纳-西尔斯（MWS）弛豫现象可通过晶界势垒缺陷（GBBD）过程解释。纯氧化锌样品的完全抗磁性向ZFO样品的顺磁性转变与缺陷及杂质结构相关。计算得出ZFO样品的带隙能量介于2.85 eV至3.15 eV之间。结果表明铁掺杂氧化锌陶瓷在高频器件应用中具有潜在价值。
关键词： 自旋电子学、X射线衍射、磁滞回线、稀磁半导体、介电常数、光学性质
更新于2025-10-22 19:40:53
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钡改性无铅铌酸钾钠陶瓷的极化与声学特性
摘要： 报道了通过固相合成法制备的(1-x)(K0.5Na0.5)(Nb0.93Sb0.07)O3–xBaTiO3 + 0.5mol%MnO2体系（KNNS7–xBT）在x=0.01、0.02和0.04时样品的极化及极化翻转结果，并在宽温度范围内进行了研究。描述了该材料在铁电相变和结构相变过程中介电非线性的特征现象。比较了不同掺杂含量的KNNS7–xBT陶瓷样品的介电响应数据与其弹性性能的变化行为。
关键词： 介电常数、极化、固溶体、弹性性能、弛豫体、铁电体、陶瓷
更新于2025-09-23 15:23:52
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锗衬底对Bi2O3薄膜结构和光学电导参数的影响
摘要： 本文报道了沉积在非晶锗衬底上200纳米厚Bi2O3薄膜的结构、光学和介电特性。Ge和Bi2O3薄膜均在10^-5毫巴真空压强下通过热蒸发技术制备。研究发现当玻璃衬底替换为锗时，Bi2O3薄膜更倾向于形成单斜晶系结构，其微应变值、位错密度和层错增多而晶粒尺寸减小。光学性能方面，当薄膜生长在Ge衬底上时观察到明显的带隙红移现象。Ge/Bi2O3异质结呈现0.81电子伏特和1.38电子伏特的导带与价带偏移量。除红外区域附近介电常数增强外，Drude-Lorentz模型分析表明Ge衬底对Bi2O3的光学电导参数具有显著影响：采用锗衬底时漂移迁移率提升约一个数量级，自由空穴密度降低约24倍，等离子体频率范围从5.21-11.0GHz扩展至2.59-12.80GHz。该异质结的光学特性使其适用于可见光通信技术。
关键词： 锗/氧化铋，带阶，X射线，异质结，等离子体，介电常数
更新于2025-09-23 15:23:52
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[智能系统与计算进展] 信息系统设计与智能应用 第862卷（第五届国际会议INDIA 2018论文集 第1卷）|| 多铁性复合材料(BiFeO3)x(Ba5RTi3V7O30)1?x的电学与磁学性能研究
摘要： 通过高温固相反应技术制备了复合多晶样品(BiFeO3)x(Ba5RTi3V2O30)1?x（R为稀土元素）。采用X射线衍射仪(XRD)确认材料形成，确?；竦玫ハ嘟峁埂Ｊ褂米杩狗治鲆?HIOKI-IM3536)进行介电特性表征，研究介电常数在宽频域和温度范围内的变化以观察介电异常现象。同时采用振动磁强计对复合体系中不同x值的(BiFeO3)x(Ba5RTi3V2O30)1?x进行了磁化强度研究。
关键词： 介电常数、X射线衍射、阻抗分析仪、磁化强度、奈尔温度
更新于2025-09-23 15:23:52
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通过耦合使用废阴极射线管玻璃和氧化石墨烯对水泥复合材料进行电磁辐射的缓解
摘要： 随着技术发展，电子设备数量的快速增长对人类环境造成了严重的电磁干扰（EMI）和辐射。本研究探讨了氧化石墨烯（GO）掺量（最高达水泥重量的0.10%）与废阴极射线管（CRT）玻璃替代细骨料（30%和60%重量比）在水泥基复合材料中的耦合作用对缓解EMI的影响。通过解耦法获得的介电常数用于评估水泥基复合材料的EMI屏蔽能力，同时采用四探针法测量直流（DC）电阻。试样的直流电阻率随GO含量增加而微弱上升，但当CRT玻璃含量从30%增至60%时显著提高。当废CRT玻璃以60%比例替代并添加0.1%GO时，在10^4–5×10^6 Hz和10^1–10^3 Hz频率范围内分别使相对介电常数提升约50%和200%。研究表明，这种显著的介电常数提升源于废CRT玻璃与GO的协同作用。水泥基复合材料EMI屏蔽能力的改善不仅使其能应用于电磁污染防治，还促进了有毒废CRT玻璃的大规?；厥绽?。
关键词： 介电常数、废弃阴极射线管玻璃、水泥复合材料、氧化石墨烯、电磁干扰
更新于2025-09-23 15:23:52
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液晶二聚体近晶相中的低频介电谱及独特的弛豫模式
摘要： 研究了由氢键二聚体（即具有短间隔基团和长柔性端链的nOnBA:MA:nOBA，其中n=10、11和12）所呈现的层状液晶向列相的低频（LF~20Hz–10MHz）交流场响应及弛豫模式。通过电容和损耗因子测定介电常数（ε'）和损耗（ε''），并确定相变温度（Tc）。滞后行为证明了分子内芳香相互作用和存储能力。记录在向列相中的损耗ε''(ω)和介电常数ε'r(ω)数据表明存在非德拜型非对称色散。ε''(ω)中的多个损耗峰被认为涉及不同时间尺度的弛豫。采用Cole-Davidson方法分析弛豫。分析了纵向偶极矩μ朝向场的重新取向，μ通过刚性核、分子内排斥和柔性端链分量进行分解。观察到的不同时间尺度响应证实了偶极分量的存在。从器件角度分析了弛豫频率、活化能、损耗峰值、介电强度和分布参数的趋势。分析了弛豫和有序指向矢涨落。ODF表明该器件在远离临界涨落的高温向列相中具有应用潜力。
关键词： 序参量涨落、弛豫、介电常数、解析偶极矩、活化能、重取向、损耗
更新于2025-09-23 15:23:52
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微波范围内石墨烯纳米片接触的电介电常数与电导率
摘要： 本文研究了由石墨烯纳米片制成的接触点在微波范围内的电学特性。最终目标是估算通过将低成本石墨烯（以纳米片形式，即GNPs）集成到高频电路中所得接触点的等效复介电常数取值范围。为此，设计并制作了类微带电路，其中石墨烯纳米片自组装于两个铜电极之间的间隙内。通过实验表征研究纳米材料及所制器件的结构特性，并采用微带技术测量微波范围内的电磁散射参数。同时推导出全波电磁模型，用于探究测量量与物理及几何参数之间的关系。结合实验与仿真结果可获取等效复介电常数值。研究发现其等效电导率远低于孤立石墨烯纳米片的预期值，而相对介电常数的实部则达到与GNP纳米复合材料相当的水平。
关键词： 纳米复合材料、介电常数、散射参数、石墨烯纳米片
更新于2025-09-23 15:23:52
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掺杂Li?CO?的Bi?.?(Na?.?K?.?)?.?TiO?无铅陶瓷的烧结行为与物理性能
摘要： 本研究采用常规固相反应法，通过超声波辅助预球磨制备了Li2CO3掺杂的Bi0.5(Na0.8K0.2)0.5TiO3（BNKT）陶瓷。球磨工艺将预处理时间从20小时缩短至1小时。X射线衍射分析表明BNKT具有单一钙钛矿相结构。随着Li2CO3含量增加，陶瓷相结构由菱方相转变为四方相。在1100℃烧结温度和0.4 wt.% Li2CO3掺杂量下，陶瓷获得最佳物理性能：密度(ρ)5.9 g·cm?3、机电耦合系数(kp)0.32、(kt)0.29、剩余极化强度(Pr)12.0 μC·cm?2、介电常数(εr)1191以及最大介电常数(εmax)5800。
关键词： 无铅陶瓷，机电耦合系数，BNKT，烧结温度，介电常数
更新于2025-09-23 15:23:52