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oe1(光电查) - 科学论文

17 条数据
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  • [2018年IEEE精密电磁测量会议（CPEM 2018）- 法国巴黎（2018年7月8日-13日）] 2018年精密电磁测量会议（CPEM 2018）- 不确定度低于百万分之一的实验室间纳安电流比对

    摘要： 一个超稳定低噪声电流放大器（ULCA）在NPL和PTB两个实验室之间进行了四次转移，其中三次转移的跨阻增益相对变化小于2×10??。这为小电流的实验室间转移树立了新标杆。

    关键词： 校准、低噪声放大器、电流测量、精密测量

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 采用工业砷化镓工艺设计的E波段5G收发机单片微波集成电路低噪声放大器

    摘要： 本文介绍了一种E波段（71-86 GHz）高性能砷化镓（GaAs）低噪声放大器（LNA）的技术、设计流程及测试结果。该放大器增益超过20 dB，平均带内噪声系数（NF）为2.3 dB，直流偏置功耗为60 mW。采用欧洲航天级技术（OMMIC公司70 nm GaAs工艺）验证了该LNA用于量产无线回程点对点通信系统的可行性，并通过部署场景示意图验证了发射/接收天线最大间距及该LNA作为接收链路首级放大器的应用效果。

    关键词： 低噪声放大器、砷化镓、E波段、单片微波集成电路、毫米波电路

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 光学传感微波放大器的精确实验研究

    摘要： 本文对微波低噪声放大器（LNA）的光学传感行为进行了精确的实验研究。通过分析商用InGaAs pHEMT放大器的散射参数和噪声系数，研究了不同光波长、功率水平和偏置条件下连续波激光照射对该器件性能的影响。研究发现，在固定入射功率下，LNA性能受光照影响显著，且光学效应在较高波长时更为明显。当采用推荐的传感放大器偏置条件时，主要表现为噪声系数和增益的下降；而当放大器偏置在晶体管夹断区时，则可清晰观察到整体性能的提升。本研究结果完全验证了先前采用不同器件和LNA设计所进行的理论分析。

    关键词： 低噪声放大器、噪声与散射参数、铟镓砷赝配高电子迁移率晶体管、光学传感

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 用于TDD前端的低损耗毫米波收发组合器合成技术

    摘要： 时分双工（TDD）收发（T/R）毫米波（mm-wave）前端包含功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）、天线开关以及相应的无源匹配与合路网络。本文提出一种综合设计方法，通过将PA输出匹配网络、LNA输入匹配网络与T/R开关整合为统一网络来最小化整体损耗。该技术提升了毫米波收发机在PA效率和LNA噪声系数方面的性能。所提出的T/R合路器可实现高线性度并处理大PA输出电压摆幅。该架构适用于任何具备高集成能力的工艺平台。采用45nm绝缘体上硅CMOS工艺实现了Ka波段方案，包含基于四堆叠结构的高功率PA和基于电感源极退化的共源共栅LNA。该前端中PA实现23.6dBm饱和输出功率与28%的峰值功率附加效率，LNA噪声系数为3.2dB。芯片总面积（含焊盘）为0.54平方毫米。

    关键词： 发射/接收（T/R）开关、低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）、5G发射机、堆叠式功率放大器、绝缘体上硅（SOI）、时分双工（TDD）、互补金属氧化物半导体（CMOS）、毫米波（mm-wave）、Ka波段

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • [IEEE 2018年第13届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 西班牙马德里(2018年9月23日至25日)] 2018年第13届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 一款噪声系数低于2分贝的X波段高鲁棒性氮化镓低噪声放大器单片微波集成电路

    摘要： 本文介绍了一款工作在8-11 GHz频段的低噪声放大器(LNA)。测试结果表明，该放大器增益超过20 dB的同时噪声系数低于2 dB。三级拓扑结构实现了高线性度，在0.6 W功耗下提供29 dBm的输出三阶截点(OIP3)。鲁棒性测试显示该电路至少能承受2.5 W(34 dBm)的输入功率。与现有技术相比，这款尺寸仅为2.8×1.3 mm2(总面积3.6 mm2)的LNA具有紧凑特性。该电路采用WIN半导体公司0.25 μm功率GaN/SiC HEMT工艺制造。

    关键词： 单片微波集成电路、高电子迁移率晶体管、氮化镓、低噪声放大器、噪声系数、散射参数

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • [IEEE 2018年第13届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 西班牙马德里(2018年9月23日-25日)] 2018年第13届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 具有集成有源限幅器的鲁棒X波段氮化镓低噪声放大器

    摘要： 本文报道了采用商用0.25微米微带GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺的X波段单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA）的设计与测量。通过测量中采用的新型有源限幅方法，单芯片实现了低于1.75分贝的噪声系数（NF）和高于16瓦连续波输入功率的耐受能力。据作者所知，该LNA在给定噪声系数水平下具有最高的输入功率处理性能——尽管晶体管并非针对低噪声操作优化，且输入匹配网络是在噪声系数与优于10分贝的输入回波损耗之间折衷实现的。该成果对实现单芯片GaN前端收发机架构具有重要前景。

    关键词： X波段、单片微波集成电路（MMIC）、有源限幅器、低噪声放大器（LNA）、生存能力、鲁棒性、氮化镓（GaN）

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • [2018年IEEE BiCMOS与化合物半导体集成电路及技术研讨会（BCICTS） - 美国加利福尼亚州圣地亚哥（2018.10.15-2018.10.17）] 2018年IEEE BiCMOS与化合物半导体集成电路及技术研讨会（BCICTS） - 一款用于雷达应用的6kV ESD防护低功耗24GHz SiGe BiCMOS低噪声放大器

    摘要： 本文介绍了一种采用英飞凌SiGe BiCMOS工艺实现的低功耗、ESD保护的24GHz单端输入差分输出单级共源共栅低噪声放大器。该电路采用桥接T型线圈作为负载，通过电感分压网络实现阻抗变换并扩展带宽。为降低功耗，电路工作在1.5V低电源电压下，因此采用多tanh双极结构补偿线性度损失。在24GHz中心频率下，该放大器（含片上输入巴伦）提供12dB增益和2.6dB噪声系数，在24GHz频点展现出-10dBm输入参考1dB压缩点的优异线性度。该LNA在1.5V单电源下功耗为18mA。通过HBM脉冲发生器测试表明，输入射频引脚具有6kV HBM ESD耐受能力。包含焊盘的芯片面积为0.49mm2。

    关键词： 低功耗、雷达应用、ESD?；ぁiGe BiCMOS、低噪声放大器、24 GHz

    更新于2025-09-04 15:30:14