用于低噪声应用的晶圆级缩放GaAs pHEMT微波线性特性测试程序

摘要： 本研究针对四种具有不同栅极宽度的晶圆级砷化镓赝配高电子迁移率晶体管开展了微波线性特性与噪声系数测量。实验由意大利墨西拿大学与美国华盛顿特区海军研究实验室两个机构共同完成，分别采用标准调谐器测量法与新型无调谐器测量法两种等效方案。两家实验室独立验证了新型技术的有效性，证实了两种方法的优势。本实验活动表明，无调谐器技术可有效应用于先进晶圆器件的噪声特性测量，且无需在标准测量装置中额外加装源调谐器。