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采用氢化非晶硅表面钝化的P沟道低温多晶硅薄膜晶体管电学性能提升
摘要： 我们报道了通过在低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS TFTs）上沉积氢化非晶硅（a-Si:H）层进行表面钝化对其电学特性的影响。通过氢稀释优化本征a-Si:H层，并研究了其结构和电学特性。位于a-Si:H与微晶硅（μc-Si:H）过渡区的a-Si:H层带来了更优异的器件性能。使用a-Si:H钝化层后，LTPS TFT的场效应迁移率较传统LTPS TFT提高了78.4%。此外，由于多晶硅晶界处的缺陷位点得到良好钝化，在VGS为5 V时测得的漏电流被抑制。这种能精确控制结晶度和钝化质量的钝化层，应被视为高性能LTPS TFT的候选方案。
关键词： 低温多晶硅薄膜晶体管、漏电流、多晶硅薄膜晶体管、拉曼光谱、表面钝化、傅里叶变换红外光谱
更新于2025-09-23 15:22:29
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基于LTPS薄膜晶体管的单型扫描驱动AMOLED像素电路
摘要： 以低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS TFTs）为基础，开发了一种适用于窄边框显示器的有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）像素电路。该像素电路具有单类型扫描信号、消除静态电源线以及像素集成发光控制功能的特点，从而可有效简化显示器边框的栅极驱动电路。此外，通过增加扫描信号的脉宽以延长阈值电压和内部电阻压降（IR压降）检测周期，该像素电路实现了高分辨率设计。进一步地，针对像素电路中工艺-电压-温度（PVT）变化的影响，采用蒙特卡洛分析法对所提出的电路与其他单类型扫描信号像素电路进行了对比研究。结果表明该像素电路具有良好可行性：当供电电压从5V降至3V导致IR压降时，电流波动可控制在2.1%以内；在-40℃至85℃的工作温度范围内，电流波动低至10.6%。
关键词： 像素电路，有源矩阵有机发光二极管，IR压降，蒙特卡罗方法，低温多晶硅薄膜晶体管
更新于2025-09-23 15:19:57
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聚酰亚胺衬底上LTPS TFTs柔性AMOLED中异常NBTI现象的缓解
摘要： 本文研究了塑料衬底上p沟道低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS TFTs）的负偏压温度不稳定性（NBTI）特性。测量结果表明，阈值电压的正向漂移与晶界陷阱态的钝化高度相关。通过利用NBTI恢复和PI衬底氢扩散等已确立现象，我们提出新模型阐释其机理并通过实验验证。采用厚缓冲层与底部金属层或新型处理PI衬底后，成功调控了塑料衬底LTPS TFTs的NBTI行为。
关键词： 界面陷阱态、柔性AMOLED、负偏压温度不稳定性（NBTI）、晶界陷阱态、低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS TFTs）
更新于2025-09-19 17:13:59
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具有防漏电方案的用于低帧率AMOLED显示器的像素电路
摘要： 本工作提出了一种适用于低帧率有源矩阵有机发光（AMOLED）智能手表显示的新型像素电路。在长发光周期内，通过降低低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS TFT）的漏电流来抑制驱动TFT栅极节点驱动电压的失真?；谥票傅膒型LTPS TFT实测电学特性建立HSPICE模型以验证所提电路的可行性。分析结果表明：当TFT阈值电压变化±0.5V时，OLED电流相对误差率均低于4.73%。值得注意的是，在中等灰阶66.7ms发光周期内，OLED电流仅变化2.94%，验证了该防漏电方案的有效性。
关键词： 低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS TFTs）、有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）、漏电流防止
更新于2025-09-16 10:30:52
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[IEEE 2019年第26届有源矩阵平板显示与器件国际研讨会(AM-FPD) - 日本京都 (2019年7月2日-7月5日)] 2019年第26届有源矩阵平板显示与器件国际研讨会(AM-FPD) - 实现高分辨率AMOLED显示器均匀OLED亮度的新型外部补偿电路
摘要： 该研究提出了一种结构简单、由低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS-TFT）和整行共享的外部阈值电压（VTH）补偿电路组成的有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）显示像素电路。该电路结合并行寻址方案与电压编程方法，通过延长补偿时间来精确检测驱动TFT的阈值电压变化及电源线上的压降（I-R压降）。仿真结果表明：当VTH变化±0.5V且VDD I-R压降为±0.5V时，相对发光电流误差率分别低于2.93%和2.62%，证实该新型像素设计在高分辨率AMOLED显示领域具有重要应用潜力。
关键词： 低温多晶硅薄膜晶体管、有源矩阵有机发光二极管显示器、内部电阻压降、阈值电压、外部补偿
更新于2025-09-11 14:15:04