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键合后退火对GaAs/Si键合界面的影响及其在基于牺牲层蚀刻的多结太阳能电池中的应用
摘要： 通过牺牲层（SL）刻蚀技术，可将GaAs衬底与采用表面活化键合（SAB）工艺制备的III-V外延衬底//硅衬底结区分离。键合后低温（300℃）退火对实现优异（约90%）的键合良率起关键作用。通过硬X射线光电子能谱和GaAs//Si键合界面的电流-电压测试研究了退火效应，发现低温退火使界面氧原子浓度降低，电阻降至1.6-2.1 mΩ·cm2。分离后的GaAs衬底暴露表面未检测到X射线光电子能谱中的氟化铝复合物，表面粗糙度均值≈0.25-0.30 nm。采用SL刻蚀制备的GaAs//Si结区所制造的双结电池特性，与键合后溶解GaAs衬底工艺制造的电池几乎相同。这些结果表明：结合SL刻蚀与SAB技术，可在兼容GaAs衬底重复利用的工艺流程中制备多结电池。
关键词： 牺牲层蚀刻，GaAs//Si双结电池，表面活化键合，低温退火，外延剥离
更新于2025-09-23 15:19:57
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烘焙温度对低温退火溶胶-凝胶掺镓氧化锌薄膜相关性能的影响
摘要： 采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃基底上制备了镓掺杂氧化锌(GZO)透明薄膜。每次旋涂后，将沉积薄膜在不同中温(100°C至250°C范围内)下热烘，随后在低于400°C的特定温度下煅烧。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光谱分析和傅里叶变换红外光谱(FTIR)对煅烧样品进行表征。系统研究了热烘温度对镓掺杂ZnO透明薄膜结构、形貌及光学等关键性能的影响。XRD图谱显示沉积薄膜具有典型的六方纤锌矿结构多晶特征，且热烘温度被认为是影响薄膜关键性能的重要参数之一。
关键词： 低温退火，掺镓氧化锌，烘烤温度，旋涂法
更新于2025-09-12 10:27:22
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AIP会议录 [美国物理联合会出版社第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 摩洛哥非斯（2019年3月25-27日）] 第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 基于电晕充电Al2O3的体寿命研究用低温硅表面钝化技术
摘要： 对晶体硅晶圆进行体寿命研究（例如研究光致降解与再生行为）时，需要采用不改变硅体特性的低温表面钝化方案（如避免氢化处理）。氧化铝（Al2O3）能提供优异稳定的表面钝化效果，但为实现最佳钝化通常需约400°C的退火步骤——该温度被发现会改变部分硅材料的体特性。因此本文研究了采用低热预算Al2O3层进行硅表面钝化的可能性。我们证明通过原子层沉积的Al2O3，在不超过250°C条件下可实现优异的硅表面钝化，实测有效表面复合速度Seff低至1.3 cm/s。通过结合250°C的沉积后退火步骤与Al2O3表面负电晕电荷沉积，我们实现了这种卓越的低温钝化效果。对于仅退火至220°C的样品，在沉积负电晕电荷后仍能获得低至2 cm/s的Seff值。研究表明，经电晕电荷处理的低温Al2O3钝化层在储存218天后，Seff值仅从1.6 cm/s轻微劣化至5 cm/s。即使不进行任何沉积后退火仅施加负电晕电荷，也能获得稳定的15 cm/s Seff值。作为电晕充电的替代方案，短时强紫外光（λ=395 nm）照射也能显著提升低温退火Al2O3钝化硅样品的表面钝化质量，但该方法的Seff最佳值限于6.6 cm/s——这对体寿命研究仍具实用价值。
关键词： 体寿命研究、氧化铝、电晕充电、硅表面钝化、低温退火
更新于2025-09-11 14:15:04