- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
具有宽图像动态范围和双向/四向共享电极的CMOS 256像素/480像素光伏供电视网膜下假体芯片及其在小鼠离体实验中的验证
摘要： 经过近半个世纪对偏置温度不稳定性的研究，目前主要有两类最具竞争力的模型。一类是反应-扩散模型，其核心观点认为氢原子从界面释放，且某种形式氢原子的扩散过程同时控制着退化与恢复现象。尽管多年来已发表多种反应-扩散模型的变体，但近期最常用的模型均基于非色散反应速率与非色散扩散机制。另一类模型则认为退化过程受一级反应控制，这些反应具有广泛分布（色散性）的反应速率。我们证明这两类模型对纳米级器件的随机退化与恢复现象会给出根本不同的预测结果，因而提供了最终的建模基准。通过获取这类纳米器件详细的实验性时变缺陷光谱数据，我们研究了这些模型与实验的兼容性。结果表明氢原子（或其他任何物质）的扩散不太可能是决定退化过程的限制因素，而实验数据与反应受限模型完全吻合。我们最终指出，只有正确理解导致纳米器件退化过程中显著器件间差异的物理机制，才能实现精确的可靠性预测与器件优化。
关键词： NBTI（负偏压温度不稳定性）、分散反应速率、一级过程、PBTI（正偏压温度不稳定性）、偏压温度不稳定性、反应扩散、氧化层缺陷、电荷俘获
更新于2025-09-19 17:13:59
-
[IEEE 2019年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 意大利乌迪内（2019.9.4-2019.9.6）] 2019年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 后道工艺设计对高缩放FinFET自热效应与可靠性的影响
摘要： 本文研究了后道工艺(BEOL)设计对高度缩小的鳍式场效应晶体管(FinFETs)中器件和后道可靠性的影响——包括热载流子注入(HCI)、偏压温度不稳定性(BTI)和电迁移(EM)——这是由于自热效应与BEOL的关联性所致。我们的分析表明，由于薄鳍体器件与衬底的热耦合较差，大部分热量会从BEOL层散出。这使得自热效应以及由此产生的器件(前道工艺，FEOL)温度对BEOL设计极为敏感。通过BEOL层的热流还会显著升高金属和通孔的温度。温度升高会对整体可靠性产生不利影响，而缓解器件退化的方法之一就是优化BEOL设计。
关键词： 自加热效应、热载流子注入、鳍式场效应晶体管、可靠性、偏压温度不稳定性、电迁移、后道工艺设计的影响、老化
更新于2025-09-12 10:27:22