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oe1(光电查) - 科学论文

3 条数据
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  • 通过化学沉积与可控加热制备的薄膜Sn2S3——其作为太阳能电池吸收层的前景

    摘要： 作为由"地壳丰度高"元素构成的半导体材料，带隙（Eg）接近1电子伏特的Sn2S3值得关注，但制备相纯薄膜的方法仍不明确。我们报道了在75托氮气压力环境下，将化学沉积的硫化锡薄膜在450℃加热30-45分钟并通入硫蒸气，成功制备出360纳米厚的Sn2S3薄膜。能量色散X射线发射光谱与掠入射X射线衍射证实了该转化过程通过中间相SnS2完全转变为Sn2S3的反应路径。该材料光学带隙为间接带隙1.25电子伏特和直接禁带1.75电子伏特。光学吸收特性表明，作为太阳能电池吸光层的Sn2S3薄膜（360纳米）可产生30 mA/cm2的光生电流密度。经30分钟加热形成的Sn2S3薄膜在黑暗环境中呈现p型电导率1×10?? Ω?1 cm?1，在800 W/m2卤钨灯照射0.2秒后增至3×10?? Ω?1 cm?1，其迁移率-寿命乘积估算值为6×10?? cm2 V?1。我们探讨了该材料在太阳能电池中的应用前景。

    关键词： SnS-CUB、Sn2S3、半导体薄膜、化学沉积、能量转换、奥滕曼矿、立方锡硫化物、可再生能源、光学与电学性能、太阳能电池

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • AIP会议录 [美国物理联合会出版社第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 摩洛哥非斯（2019年3月25-27日）] 第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 用于硅异质结太阳能电池的P型SiOx前发射极

    摘要： 我们在硅异质结太阳能电池中采用p型纳米晶氧化硅（p-SiOx）作为前发射极。通过研究气体混合物中二氧化碳/硅烷流量比变化对p-SiOx结构、光学及电学特性的影响，并将其与电池中常用的p型非晶硅和纳米晶硅薄膜特性进行对比。将具有合适电学特性的精选p-SiOx薄膜应用于基于n型FZ c-Si <100>晶圆（采用超薄本征a-Si:H缓冲层钝化）的硅异质结太阳能电池中。实验观察到含氧量较高的发射极能提升所有光伏参数。研究结果表明：当气体混合物中二氧化碳含量充足时，既可增强p-SiOx层生长过程中的透光性，又能强化场效应钝化效果，这些因素共同促成了性能提升。

    关键词： 场效应钝化、硅异质结太阳能电池、p型纳米晶氧化硅、光学与电学性能、二氧化碳/硅烷流量比

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 樟脑磺酸掺杂聚(3-己基噻吩)纳米薄膜：光学与电学性能

    摘要： 本文报道了采用简单线棒涂布法在不同基底温度下于玻璃表面制备樟脑磺酸（CSA）掺杂聚(3-己基噻吩)（P3HT）纳米薄膜的工艺及其表征研究。通过原子力显微镜（AFM）、紫外-可见光谱、荧光光谱、X射线衍射、NKD光谱、扫描电镜及直流电学测试，系统分析了所制备纳米薄膜的光谱学、光学、结构及电学特性。详细电学表征表明：当薄膜经CSA掺杂后导电性显著提升，在40°C制备温度下电导率从5.89×10?? S/cm增至1.39×10?? S/cm。由此证实基底温度对薄膜结构及光谱特性具有重要影响。此外，CSA掺杂会改变光学性质，尤其在40°C制备条件下表现显著。

    关键词： P3HT、纳米薄膜、樟脑磺酸、光学与电学性能

    更新于2025-09-04 15:30:14