一种水热合成的MoS?(1?x)Se?x合金，具有深浅能级转换特性以提升光电探测器性能

摘要： 基于二元过渡金属硫族化合物的光电探测器近年来受到广泛关注。然而，由于二元TMD材料的高温合成过程可能产生高密度深能级缺陷态，导致器件响应性差或响应时间长。此外，合金元素的引入会使硫空位引发的深能级缺陷态转变为浅能级缺陷态。本文采用水热法合成了MoS2(1?x)Se2x纳米结构，并以此为光敏材料制备了新型光电探测器。该MoSSe基光电探测器不仅具有高光电流，还能在405 nm至808 nm波长范围内实现宽光谱响应。同时，在1.75 mW mm?2功率的660 nm激光照射下可达到1.753 mA W?1的响应度。因此，本研究可视为一种工艺简单、成本低的新型光电探测器构建方法。