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oe1(光电查) - 科学论文

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出版时间
  • 2019
研究主题
  • E. 光电子能谱 B. 通量生长法 D. 拓扑绝缘体 A. 层状混合阴离子化合物
应用领域
  • 材料科学与工程
机构单位
  • University of Yamanashi
  • High Energy Accelerator Research Organization (KEK)
  • National Institute for Materials Science
  • Kyushu Institute of Technology
  • Hokkaido University
37 条数据
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  • 有机半导体中主体与掺杂剂之间的能量无序及能级排列

    摘要： 有机发光二极管发光区中激子的形成与收集，关键取决于主体分子与掺杂分子间的能级排列。因此，理解预测能级排列的机制对制备高性能有机发光器件的材料选择至关重要。本研究通过X射线光电子能谱和紫外光电子能谱发现：主体-掺杂能级排列强烈依赖于薄膜厚度与衬底功函数。固定高斯态密度模型无法解释实验数据，我们推测表面邻近分子的能量无序性主导了能级排列。对多种典型有机半导体的紫外光电子能谱测量验证了该猜想。通过推导经验界面无序函数构建功能化高斯态密度来计算主体能级，继而应用普适性能级排列规则计算主体-掺杂能级排列，结果与实验数据高度吻合。

    关键词： 主体-掺杂剂体系、有机半导体、能级排列、光电子能谱、能量无序性

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 通过Sn1-Ge插层对SiC(0001)上准自由站立单层石墨烯的掺杂调控

    摘要： 为调节形成于SiC(0001)上的准自由站立单层石墨烯(QFMLG)的转移掺杂，研究者向已通过锡插层处理的ZL与6H-SiC(0001)界面间的QFMLG中额外插入锗原子。将沉积锗的表面在600°C下退火后，形成了具有4×√3结构的Sn1-xGex薄膜——该薄膜由位于QFMLG下方双层结构及带悬键吸附原子组成。研究表明，在此Sn1-xGex薄膜中，锗原子优先占据与衬底顶部硅原子结合的底层位置，而锡原子则占据顶层吸附位点。这些吸附位点上局域电子间的强关联作用诱导形成了半导体合金薄膜。当退火温度升至800°C时，相同4×√3结构插层膜中的锗浓度逐渐增加，狄拉克点也相对费米级从-0.16 eV逐步偏移至+0.20 eV。该结果证实：通过改变Sn1-xGex界面合金膜的组分，成功实现了对SiC(0001)上QFMLG转移掺杂的调控。

    关键词： 扫描隧道显微镜、准自由站立石墨烯、锡锗合金插层、哈伯德能带、掺杂调制、光电子能谱、碳化硅(0001)面

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 混合有机/无机半导体pn结的电子特性

    摘要： 混合无机/有机半导体异质结是拓展纯有机或纯无机结在电子和光电器件中应用范围的有力候选者。因此，全面理解体相掺杂与界面掺杂对结区电子特性的影响至关重要。本研究通过光电子能谱技术，阐明了一个典型混合pn结（由n型ZnO和p型掺杂的N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺(α-NPD)构成）的能级排列及其作用机制。该能级排列可通过无机与有机组分远离界面处的接触诱导能带弯曲及能级弯曲、以及源于"推回效应"的界面偶极子的相互作用进行定量描述。通过调节α-NPD中的掺杂浓度，ZnO的前线能级位置可移动超过0.5 eV，α-NPD的前线能级位置可移动超过1 eV。该pn结能级的高度可调性证明了混合方法在增强器件功能方面具有显著潜力。

    关键词： 半导体、电子特性、光电子能谱、界面

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 具有位点选择性硫族原子的Ce(O,F)Sb(S,Se)?单晶的生长与物理性质

    摘要： 采用CsCl/KCl熔盐法成功生长出Ce(O,F)Sb(S,Se)2单晶。所得晶体呈板状，典型尺寸为1-2毫米，具有发育良好的ab晶面，便于进行X射线单晶结构分析。该化合物结晶于单斜晶系P21/m空间群，晶格参数为a=4.121(7)?、b=4.109(7)?、c=13.233(15)?、β=97.94(7)°。其结构由Ce-(O,F)层与Sb-SSe层交替堆叠构成，Sb-SSe层中Se原子在面内位点存在选择性占位。X射线吸收精细结构分析表明Ce的价态为Ce3+。该单晶呈现绝缘特性，并在约6K温度下出现磁有序现象。

    关键词： E. 光电子能谱 B. 通量生长法 D. 拓扑绝缘体 A. 层状混合阴离子化合物

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • Alq?分子阴离子的光电子能谱：体相中电子传输重组能的估算

    摘要： 通过脉冲放电在超声膨胀条件下对固态样品进行处理，生成了三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)的分子阴离子，并在质量选择后记录了其光电子能谱。测得Alq3?的垂直脱附能为1.24±0.01 eV，Alq3的绝热电子亲和能为0.89±0.04 eV。基于单分子Alq3的这些能量值，估算出块体Alq3中分子间电子传输的重排能为0.70±0.08 eV。

    关键词： 光电子能谱、电子传输、重组能、Alq3、分子阴离子

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 氟化锂中间层增强钙钛矿发光二极管性能的机制

    摘要： 在电子传输层与阴极之间使用氟化锂（LiF）作为薄中间层，对钙钛矿发光二极管（PeLEDs）取得显著进展起到了关键作用；然而，LiF产生这种效应的机制仍有待充分阐明。本研究通过实验与计算相结合的方法发现，LiF中间层的优势源于解离的锂向阴极迁移以及解离的氟向阳极迁移。电子器件模拟表明：前者通过降低肖特基势垒高度改善电子注入，后者则缩减势垒宽度。这些作用共同降低了启动电压，提升了LED的电流密度与电荷平衡性。我们制备了含/不含LiF中间层的PeLED器件，并将这些材料现象与电子效应关联至器件的光-电流-电压特性。通过对PeLED进行溅射剖面分析获得的X射线光电子能谱，证实了LiF的解离现象。

    关键词： 发光二极管、界面偶极子、金属卤化物钙钛矿、光电子能谱、能带排列

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 对极紫外光刻胶材料中化学过程的基本理解

    摘要： 为推动极紫外（EUV）光刻技术发展，需要新型光刻胶材料。通过深入理解EUV引发的化学反应机理，能够实现高效光刻胶的定制化设计。本文探讨了光刻胶薄膜吸收EUV光子后发生的过程，并阐述了一种从基础层面研究这些过程的新方法。研究人员采用化学放大型EUV光刻胶单体单元类似物，在气相状态下实验研究了光吸收、电子发射和分子碎裂等过程。为验证EUV吸收截面对选择性光捕获取代基的依赖性，运用以下技术表征了卤代甲基苯酚：通过光电子能谱分析分子发射电子的动能与产额；针对碘代甲基苯酚检测了光致电离后的俄歇电子发射；利用质谱法推断了电子发射与原子弛豫后的分子碎裂路径。为探究发射电子与凝聚态薄膜中中性分子的相互作用，研究了中性气相分子与电子束作用时的碎裂模式，发现其与EUV光子引发的碎裂具有相似性。实验证实在电离阈值以下，共振电子附着会使碘代甲基苯酚发生解离。

    关键词： 光吸收、分子碎裂、电子发射、光刻胶、质谱法、俄歇电子、光电子能谱、极紫外光刻、共振电子附着、卤代甲基苯酚

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 强圆偏振少周期脉冲导致稀有气体原子角分辨光电子谱中的不对称性翻转

    摘要： 我们研究了稀有气体原子在圆偏振少周期激光场电离下光电子发射方向不对称性发生翻转的现象，并基于半经典隧穿电离理论推导出表示不对称性翻转时光电子动能的解析公式。研究表明，不对称性翻转发生的能量对少周期激光脉冲的脉宽极为敏感，并提出可利用该不对称性翻转能量的解析公式通过实验测定脉冲脉宽。

    关键词： 不对称翻转、光电子能谱、稀有气体原子、圆偏振少周期脉冲

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 受基底影响的硅纳米带生长结构测定

    摘要： 我们利用光电子衍射（XPD）、光电子能谱（XPS）和低能电子衍射（LEED）研究了Au(110)基底上生长的硅纳米带结构。发现硅沿[110]基底方向形成了两条锯齿状终止的六角链，而金基底在硅蒸发后形成了体相型表面重构。仅在Si/Au界面处，沿[110]方向缺失的两行原子部分保留了原始结构。与Ag(110)上的硅纳米带形成不同，Au(110)上的纳米带生长受范德华作用力和Au-Si键形成的强烈基底影响。这种强相互作用导致基底驱动的六角结构形成，其中金原子部分融入纳米带结构。除确定硅纳米带内部结构外，我们还通过解卷积衍射图样，确定了XPS光谱中两个化学位移硅组分的来源。

    关键词： 光电子能谱，六方链，纳米带，硅，光电子衍射

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 在ELI-ALPS使用100 kHz激光系统重建存在干扰修饰场时的阿秒脉冲

    摘要： 由高强度近红外激光脉冲通过高次谐波产生（HHG）生成的阿秒脉冲串（APT），已被证明对研究原子和分子体系的电子动力学具有重要价值。然而，高光子能量、高通量HHG所需的高强度通常将适用激光系统的重复频率限制在10 kHz以下。本研究利用极端光基础设施阿秒光源（ELI-ALPS）正在调试的100 kHz/160 W/40 fs激光系统（HR-1）产生的APT，通过双光子跃迁干涉重建阿秒拍频（RABBIT）技术进行重构。这些实验构成了首次在100 kHz重复频率下开展的阿秒脉冲时间分辨光电子能谱测量，也是ELI-ALPS在新安装技术调试项目框架下开展的首批实验之一。这些RABBIT测量采用与极紫外APT时序锁定的附加红外场，产生了非典型的ω拍频。我们证明在此条件下记录的2ω拍频相位与二阶微扰理论中标准RABBIT测量观察到的严格一致。这项工作为未来基于阿秒干涉测量（或RABBIT）的实验提供了简化方案，特别适用于使用高平均功率激光器的情况。

    关键词： 光电子能谱、高次谐波产生、阿秒、RABBIT技术

    更新于2025-09-23 15:19:57