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通过原子层沉积促进MoS?纳米层在SiO?表面独立形成的策略：一项DFT研究
摘要： 在本研究中，我们采用密度泛函理论计算来探究MoS?原子层沉积过程中在SiO?(001)表面缓冲层的最初形成阶段。先前研究已阐明：以Mo(NMe?)?(NtBu)?为前驱体、H?S为共反应物的自限制原子层沉积(ALD)反应，最终会在SiO?(001)表面形成所谓"结构单元"。该结构单元底部通过钼原子与SiO?(001)表面氧键合，顶部则连接末端硫原子。电子能带结构计算表明，由这些结构单元构成的后续沉积缓冲层具有远非理想的（光）电学特性?；谘芯糠⑾郑颐翘岢鎏娲訟LD化学方案，可形成所谓"支撑型结构单元"。在此团簇中，钼原子由硫原子支撑，从而抑制缓冲层形成。这最终有利于界面处独立共形二维MoS?纳米层的生成。通过所提出的化学方案，沉积层的（光）电学特性将得以保持。
关键词： 光电特性，二硫化钼，二氧化硅，密度泛函理论，原子层沉积
更新于2025-09-10 09:29:36
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石墨烯/MoSe?异质结的制备与光电特性
摘要： 该论文介绍了石墨烯/二硒化钼（MoSe?）异质结的制备及其光电特性。以MoSe?粉末为原料，采用化学气相沉积（CVD）法在硅衬底上沉积MoSe?薄膜，随后以甲烷（CH?）为原料在MoSe?薄膜上生长石墨烯层，从而形成石墨烯/MoSe?异质结。原子力显微镜（AFM）观测显示，制备的MoSe?薄膜由大量直径约2纳米、垂直于表面长度约7纳米的纳米线组成，同时MoSe?薄膜表面分散着许多细小的石墨烯片。此外，研究发现MoSe?薄膜在（400）晶面具有强取向生长特性，这与AFM图像中由众多平行纳米线组成的MoSe?薄膜形态一致。实验还发现，该石墨烯/MoSe?异质结对可见光具有良好的吸收性能，在光照下能产生显著光电流，表明该异质结具有优异的光电性能，在光电器件领域具有重要应用潜力。
关键词： 二硫化钼、石墨烯、化学气相沉积、光电特性、异质结
更新于2025-09-10 09:29:36
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功率密度调制激励的体DBD光电特性评估
摘要： 光电特性是高压放电的重要参考指标，与高压电源的激发模式密切相关。本文搭建了由多层平行板介质阻挡放电（DBD）电极构成、采用功率密度调制（PDM）模式高压电源激励的大体积介质阻挡放电系统，通过分析施加能量方程评估了DBD系统的光电特性。结果表明：PDM周期内不同施加电压周期的能量值存在显著差异，但PDM周期内的平均能量基本恒定；DBD单元的等效电容是施加电压和能量密度的函数——随着施加电压及DBD单元加载能量的增加，总等效电容（C）基本恒定，介质电容（Cd）呈指数增长后线性下降，放电间隙电容（Cg）则相反呈现下降后上升趋势；同时放电发射相对强度随施加电压和能量密度增加而增强，活性粒子相对光量子产额的能量效率比则随之降低。通过评估电参数影响分析了实验结果并探讨了物理机制，明确揭示了DBD反应器的光电特性受施加电压和能量密度显著影响，为高压放电的能量评估与应用提供了重要依据。
关键词： 应用能源、功率密度调制（PDM）、光电特性、相对光量子产率、能效比（EER）
更新于2025-09-09 09:28:46