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??（Rb）与汞（Hg）同时磁光阱中的铷态
摘要： 我们通过汞的冷却激光，在汞-铷双组分磁光阱（MOT）中测量了87Rb原子5S1/2和5P3/2态的光电离截面。测得铷原子在253.7 nm波长下5S1/2和5P3/2态的光电离截面分别为1+4.3×10?2? cm2和4.63(30)×10?1? cm2。为测定MOT中5S1/2和5P3/2态的布居比例，我们通过额外401.5 nm激光探测了5P3/2态的光电离速率，测得铷原子在401.5 nm波长下5P3/2态的光电离截面为1.18(10)×10?1? cm2。
关键词： 汞，激光冷却，铷，磁光阱，光电离截面
更新于2025-09-23 15:21:01
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利用热电子二极管探测器测量锂（2p、3d）激发态的光电离截面
摘要： 研究报告了通过单光子和双光子选择性布居锂原子2p和3d激发态的光电离截面测量。实验采用氮激光泵浦脉冲染料激光器，在热管热阴极二极管探测器中完成光电离过程。使用高氯酸罗丹明（Rh-640）染料产生635至675纳米范围内的可调谐激光输出。热阴极二极管探测器和染料激光器均为自主研制。通过染料激光激发脉冲照射二极管阴极灯丝周围形成的负空间电荷区，随后施加氮激光产生的电离紫外辐射。研究了电离激光脉冲能量及染料激光精确调谐对670.780纳米（2S1/2→2P1/2,3/2）单光子跃迁和639.145纳米（2S1/2→2D3/2,5/2）双光子跃迁光电离信号的影响。所得结果与光电离信号饱和曲线的模型计算进行对比，测得2P1/2和2D5/2态的电离截面分别为15.40±2.8 Mb和8.04±1.6 Mb，原子数密度N～5.6×10^8(cm^-3)。
关键词： 染料激光器，光电离截面，热电子二极管，热管，锂
更新于2025-09-23 08:34:55
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静水压下GaN/AlxGa1?xN球形量子点中施主杂质的结合能与光电离截面
摘要： 本文采用变分法理论研究了GaN/AlxGa1?xN量子点结构中施主杂质态的结合能与光致电离截面。通过数值计算分析了静水压作用下不同杂质位置处结合能与光致电离截面随核壳尺寸的变化规律。结果表明：对于GaN/AlxGa1?xN核壳量子点，其结合能随核尺寸增大在不同杂质位置均呈单调递减趋势；而倒置核壳量子点的结合能则随核尺寸增大呈现差异化变化趋势。但两种结构的结合能均随壳层尺寸增大单调递减。此外，当光子能量近似等于施主结合能时会出现光致电离截面峰值，该峰值在不同条件下会产生位移，且其峰值强度随核壳尺寸增大而增强。施加静水压时，结合能与光致电离截面峰值强度均随压力增大而提高。
关键词： 静水压力，球形量子点，结合能，光电离截面
更新于2025-09-19 17:13:59
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基于Lanczos算法的含时运动方程耦合簇单双激发方法计算价层激发态的总光电离截面
摘要： 氦、水、二氧化硫、分子氮和一氧化碳前两个电子激发态的激发能及振子强度通过基于非对称Lanczos算法的运动方程耦合簇单双激发方法获得。总光电子电离截面采用两种不同方法计算：基于Padé逼近的解析延拓程序与Stieltjes成像技术。计算结果与代数图解构造法[ADC(2)]及ADC(2)-x理论计算值[M. Ruberti等，《化学物理学报》140卷184107页(2014年)]及现有实验数据进行了对比。
关键词： Stieltjes成像技术、耦合簇单双激发方法、光电离截面、基于Lanczos的含时运动方程、价层激发态、帕德近似
更新于2025-09-12 10:27:22
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ICN光电子谱中的振子结构和光电子角分布
摘要： 采用含时运动方程耦合簇方法模拟了ICN价壳层光电子能谱，通过计算电离能和Dyson轨道范数来描述光电子峰强度。该模拟谱不仅重现了实验光电子谱中四个主峰的位置与强度，还合理再现了各光电子峰中存在的振转结构。其中对应于~A态和~B态的高能区振转结构与实验结果尤为吻合。此外，在0-50 eV光子能量范围内，计算了最外层四个价分子轨道电离的光电离截面与不对称参数，所得不对称参数定性符合相应实验测量值。通过分析各角动量通道对光电子的贡献进行分波解析，阐明了实验不对称参数中出现的形状共振现象以及四个电离通道计算截面的变化趋势。
关键词： 国际化合物编号，光电子能谱，振动电子结构，运动方程耦合簇方法，戴森轨道，不对称参数，光电离截面
更新于2025-09-10 09:29:36