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oe1(光电查) - 科学论文

3 条数据
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  • [IEEE 2019年国际人工智能与先进制造会议（AIAM）- 爱尔兰都柏林（2019.10.16-2019.10.18）] 2019年国际人工智能与先进制造会议（AIAM）- 基于多芯光纤的动态实时三维姿态重建方法（副标题按需添加）

    摘要： 我们开发了一款5×5平方毫米的紧凑型硅光接收器，配备28纳米CMOS跨阻放大器（TIA）芯片。该接收器芯片采用光电融合设计技术，通过优化光电器件接口实现高速高效运行。使用光学引脚便于多模光纤与锗光电探测器之间的光路对准。光电探测器与跨阻放大器之间的铝质带状线因其特性阻抗高于TIA输入阻抗，有效提升了3分贝带宽。在刻蚀的绝缘体上硅（SOI）晶圆上采用共面波导（CPW）结构，通过减小波导电场与硅层的重叠区域实现了低插入损耗。实验证明该接收器在25℃和85℃环境下均可实现25Gb/s无误码传输，其最低灵敏度分别为-11.0dBm（25℃）和-10.2dBm（85℃），功耗分别为2.3mW/Gb/s（25℃）和2.5mW/Gb/s（85℃）。结果表明该接收器具备高温环境实用化应用潜力。

    关键词： CMOS跨阻放大器、多模光纤传输、光电集成电路、光互连、光接收器、硅光子学

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [IEEE 2019化合物半导体周（CSW）- 日本奈良（2019.5.19-2019.5.23）] 2019化合物半导体周（CSW）- 用于III-V/Si多结太阳能电池的智能堆叠技术

    摘要： 我们开发了一款尺寸为5×5平方毫米的紧凑型硅光接收器，搭载28纳米CMOS跨阻放大器（TIA）芯片。该接收器芯片采用光电融合设计技术，通过优化光电器件接口实现高速高效运行——因为光电子组件的接口特性对接收器性能影响显著。我们使用光学引脚实现多模光纤与锗光电探测器之间的便捷光路对准，并在光电探测器与TIA之间设置铝质带状线以提升3dB带宽（因其特性阻抗大于TIA输入阻抗）。在刻蚀的SOI晶圆上采用共面波导（CPW）结构，通过减小CPW电场与硅层重叠区域实现了低插入损耗。实验证明该接收器在25°C和85°C环境下均可实现25Gb/s无误码传输，其最低灵敏度与功耗分别为：25°C时-11.0dBm/2.3mW/Gb/s，85°C时-10.2dBm/2.5mW/Gb/s。这些结果表明该接收器具备高温环境下的实用价值。

    关键词： 光电集成电路、硅光子学、光互连、CMOS跨阻放大器、光接收器、多模光纤传输

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC）- 美国伊利诺伊州芝加哥（2019年6月16日-2019年6月21日）] 2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC）- 光谱对巴西东北部多晶硅及新一代碲化镉光伏性能的影响

    摘要： 我们开发了一款5×5平方毫米的紧凑型硅光接收器，搭载28纳米CMOS跨阻放大器（TIA）芯片。该接收器芯片采用光电融合设计技术，通过优化光电器件接口实现高速高效运行——因为光电器件接口特性对接收器性能影响显著。我们使用光学引脚实现多模光纤与锗光电探测器之间的简易光对准。光电探测器与跨阻放大器之间的铝质带状线提升了3分贝带宽，因其特性阻抗大于TIA输入阻抗。蚀刻绝缘体上硅（SOI）晶圆上的共面波导（CPW）通过减小波导与硅层间的电场重叠，实现了低插入损耗。实验证明该接收器在25°C和85°C环境下均可实现25Gb/s无误码传输，其最低灵敏度与功耗分别为：25°C时-11.0dBm/2.3mW/Gb/s，85°C时-10.2dBm/2.5mW/Gb/s。结果表明该接收器具备高温环境实用价值。

    关键词： 光电集成电路、硅光子学、光互连、CMOS跨阻放大器、光接收机、多模光纤传输

    更新于2025-09-19 17:13:59