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低温暗退火作为多晶硅中LeTID的预处理方法
摘要： 光照和高温诱导衰减（LeTID）目前是晶体硅光伏技术中的一个严重问题，这促使人们开展了大量工作来理解其机理并加以缓解。我们发现，在典型太阳能电池制备流程的最后一步进行低温暗退火会显著影响LeTID特性，包括衰减强度和衰减动力学。虽然在200-240°C温度范围内进行相对较短的退火可能因使衰减强度翻倍而对LeTID产生不利影响，但在300°C下进行的优化退火则呈现相反趋势，为消除LeTID提供了有效手段。此外，我们证明暗退火过程中金属沉淀与溶解的模拟复合活性与实验结果相关，这为LeTID机理提供了一种可能的解释。
关键词： PERC（钝化发射极和背面电池技术）、降水、多晶硅、少数载流子寿命、光致衰减（LeTID）、硅中的铜
更新于2025-09-23 15:23:52
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采用等离子体增强化学气相沉积层堆叠钝化的直拉硅寿命样品中的体相与表面相关退化
摘要： 在80-150°C光照处理过程中，直拉硅制成的寿命样品会先出现显著的体相关衰减（BRD），随后发生表面相关衰减（SRD）影响有效过剩载流子寿命。样品采用完全源自等离子体增强化学气相沉积的AlOx:H/SiOxNy:H/SiNx:H或SiOxNy:H/SiNx:H叠层进行钝化。不同钝化叠层和处理条件下，样品的BRD表现出显著差异，并讨论了其与光照和高温诱导衰减（LeTID）的潜在关联。所有样品均在带式炉中烧结，烧结温度和带速的变化对SRD有轻微影响。此外，随着处理温度升高，SRD加速，在SiOxNy:H/SiNx:H钝化样品中测得表观活化能Eapp=1.07±0.02 eV。但由于SRD过程中界面缺陷和固定电荷密度同时发生变化，该Eapp值的解释存在困难。
关键词： 光致衰减（LeTID）、表面相关衰减、光诱导衰减、直拉法（Czochralski）、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）
更新于2025-09-09 09:28:46