- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
用于车头灯应用的像素化LED阵列的改进漏电和输出特性
摘要： 我们研究了蚀刻条件对不同尺寸发光二极管（LED）性能的影响，这些LED旨在应用于汽车前照灯。光致发光（PL）图像显示，湿法蚀刻后，不良LED阵列的比例从75%显著增加到94%，且在-5V下的漏电流从1.14×10??A大幅增至5.02×10??A。研究表明，等离子体蚀刻使银层转化为银颗粒，其尺寸和密度取决于处理时间和银层厚度。这些银颗粒在干法蚀刻过程中充当微掩模。等离子体蚀刻产生了直径0.9–1.43μm、高度0.85–2.5μm的相对均匀的丘状结构。此外，PL图像表明干法蚀刻未降低LED阵列的性能。而且，干法蚀刻LED的光输出功率高于湿法蚀刻LED。例如，在100mA电流下，干法蚀刻LED（芯片尺寸：240×290μm2、240×490μm2和490×1190μm2）的输出功率分别比相应湿法蚀刻LED高20.4%、15.0%和11.2%。此外，我们还展示了一种由基于银颗粒的等离子体蚀刻LED组成的汽车前照灯单元。
关键词： 漏电流、汽车前照灯、光输出功率、蚀刻、发光二极管
更新于2025-09-23 15:21:01
-
偏振工程化的AlGaN末量子垒用于高效深紫外发光二极管
摘要： 基于氮化铝镓（AlGaN）的深紫外发光二极管（DUV LEDs）已被视为一种有前景的无汞紫外光源。然而，传统DUV LED中观察到的严重电子溢出和低空穴注入效率会降低器件性能，这是由于最后一个量子垒（LQB）与电子阻挡层（EBL）之间强极化电场导致的能带向下弯曲所致。本研究提出采用Al组分从0.5线性递增至0.65的组分渐变AlGaN层作为LQB，以替代传统的平坦LQB，在提高电子阻挡能力的同时降低空穴注入的有效势垒高度。由此可获得显著的输出功率提升。此外，进一步研究表明渐变LQB的厚度决定了LQB内的能带弯曲程度，从而有效抑制电子泄漏，最终实现输出功率的增强。对LQB的深入研究可为未来高效DUV LED的实现铺平道路。
关键词： 电子阻挡层、紫外发光二极管、光输出功率、极化场、渐变最后一个量子垒
更新于2025-09-23 15:19:57
-
[2019年德国慕尼黑国际电气与电子工程师协会激光与光电子欧洲会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC) (2019.6.23-2019.6.27)] 2019年激光与光电子欧洲会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC) - 7单元电并联垂直腔面发射激光器阵列实现25GHz小信号调制带宽
摘要： 小型垂直腔面发射激光器（VCSEL）阵列在物联网领域的智能手机、家电及传感系统等各类设备的自由空间光通信中正展现出新兴应用价值。为实现数据通信，我们需要符合人眼安全标准的直线视距光束或锥形辐射光，这些光能像光纤通信一样可靠且低成本地实现设备间数据传输，或作为照明光源，或兼具双重功能。通过简化的VCSEL外延结构设计[1]，我们研究了多种顶发射单管980nm VCSEL及不同间距、台面形状和发光直径的VCSEL阵列配置方案。实验报道了六边形排列的7管电并联紧凑型VCSEL阵列在小信号调制带宽（f3dB）与光输出功率（L）方面创纪录的组合参数——该阵列采用完全相同的VCSEL器件，氧化限制孔径直径约为φ~3.5μm±0.5μm。图1汇总了关键室温（RT）性能指标：当偏置电流约I~35mA时获得20GHz的f3dB，同时工作光功率超过25mW；当I~65mA时f3dB高达24.8GHz且光功率达~50mW；最大电光转换效率（WPE）在I~16mA时达到0.32。我们预计通过散热设计、先进封装和衬底发射阵列结构，可在相同电流下进一步提升WPE和光输出功率。此前最佳阵列成果包括：28单元850nm阵列在L=120mW时f3dB为7.5GHz[2]，以及单管980nm VCSEL在L=25mW时f3dB达23GHz。本报告还将展示大孔径单管VCSEL及三管、七管、十九管阵列从室温至85℃的补充实验数据。
关键词： 光输出功率，垂直腔面发射激光器，电并联，小信号调制带宽，六边形配置
更新于2025-09-12 10:27:22