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oe1(光电查) - 科学论文

58 条数据
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  • 基于包覆氮化硼纳米片的核壳纳米粒子固定化增强表面等离子体共振（SPR）信号：抗癌药物依托泊苷分子印迹SPR纳米传感器的开发

    摘要： 基于核壳纳米粒子（Ag@AuNPs）掺杂六方氮化硼（HBN）纳米片和分子印迹聚合物（MIP）的高效表面等离子体共振（SPR）纳米传感器被用于依托泊苷（ETO）检测。通过扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射（XRD）、循环伏安法（CV）、电化学阻抗谱（EIS）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）和原子力显微镜（AFM）对纳米材料及聚合物表面进行了全面表征。研究开发了以聚（2-羟乙基甲基丙烯酸酯-甲基丙烯酰谷氨酸酰胺）[p(HEMA-MAGA)]为功能单体的Ag@AuNPs-HBN纳米复合基质ETO印迹SPR纳米传感器。结果表明，该传感器的线性范围为0.001-1.00 ng mL?1（1.70×10?12-1.70×10?? M），检测限（LOD）达0.00025 ng mL?1（4.25×10?13 M）。此外，还评估了所制SPR纳米传感器的稳定性、重复性和选择性。最终将该印迹SPR纳米传感器应用于尿液样本检测，获得了高回收率。

    关键词： 依托泊苷，核壳纳米粒子，六方氮化硼，尿液样本，分子印迹纳米传感器

    更新于2025-11-21 11:18:25

  • 通过傅里叶变换红外光谱法量化氮化硼纳米管中的六方氮化硼杂质

    摘要： 从市售原料制备高质量氮化硼纳米管（BNNTs）对最终实现产业应用及开展全面实验研究至关重要。分离六方氮化硼（h-BN）与BNNTs是重大挑战，由于二者性质近乎相同，混合样品中h-BN含量的定量分析同样困难。本研究基于傅里叶变换红外光谱（FTIR）分析，提出一种简便的BNNTs中h-BN含量定量方法——通过向BNNT样品添加纯纳米级h-BN作为内标实现"加标"定量。为验证该技术的有效性，我们引入两种BNNT富集方法（表面活性剂包裹与离心法）及新型超声辅助等容过滤法。富集样品的FTIR光谱显示整个过程存在明确趋势。我们提出并证实：通过混合h-BN/BNNT样品的横向振动模与屈曲振动模FTIR峰比值，可校准并量化任意BNNT样品中的h-BN含量。该方法有望实现从低纯度市售原料中对原始BNNTs进行定量富集，推动BNNTs及相关技术的未来发展与研究。

    关键词： 傅里叶变换红外光谱法、氮化硼纳米管、六方氮化硼、富集方法、定量分析

    更新于2025-11-14 15:13:28

  • 六方氮化硼缓冲层上SiO2衬底生长石墨烯

    摘要： 通过在绝缘体衬底上插入六方氮化硼（h-BN）缓冲层实现石墨烯的一步生长工艺，有望因缓解石墨烯与绝缘体间的界面相互作用并提升衬底平整度，显著改善石墨烯器件的电子传输性能。本研究无需机械转移步骤，通过直接化学气相沉积（CVD）成功制备了石墨烯/h-BN/SiO?异质结构。研究发现h-BN能促进SiO?上的石墨烯生长，而无h-BN层时石墨烯生长极其困难。采用微拉曼光谱和近边X射线吸收精细结构（NEXAFS）光谱分析了石墨烯与h-BN的电子结构。B和N的K边NEXAFS显示h-BN/SiO?和石墨烯/h-BN/SiO?中均存在化学式为BN???O?（x=1,2,3）的替代氧杂质。石墨烯/h-BN/SiO?中的氧替代杂质数量是h-BN/SiO?的两倍，推测源于石墨烯生长过程中与SiO?及甲醇所含氧的反应。石墨烯/h-BN/SiO?中石墨烯与h-BN的界面相互作用较弱。本研究表明CVD生长的h-BN层可作为优质缓冲层，既支持直接在其上生长石墨烯，又能减少与绝缘体衬底的相互作用。

    关键词： 近边X射线吸收精细结构、六方氮化硼、化学气相沉积、缓冲层、石墨烯

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 六方氮化硼子带激发光致发光中的电子-声子相互作用

    摘要： 采用拉曼光谱和光致发光（PL）光谱研究了含碳氧杂质的h-BN微晶粉末在83K和296K下的特性。针对光学振动模式作用增强的情况，讨论了温度降低时拉曼峰蓝移现象。在4.28eV激发下观测到PL发射光谱中存在以4.08eV为零声子线的两组声子伴线。提出了导致该发光现象的杂质（CN-ON）复合体的能级模型，证实该光学活性中心在亚带隙（4.28eV）或带间激发辐射复合过程中保持电中性。分析了（CN-ON）复合体在亚带隙激发下电子-声子散射及声子伴线形成的可能机制，论证了第一布里渊区高对称点中点的纵向光学声子（?ωLO=174meV）与横向声学声子（?ωTA=60meV）分别参与谷内（M和Κ散射）和谷间（Κ→Μ散射）过程。

    关键词： 紫外发光、谷内散射、点缺陷、谷间散射、声子复制品、六方氮化硼、碳氧复合体

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 由范德华材料制成的深度亚波长声子极化激元晶体

    摘要： 光子晶体（PCs）是通过周期性介电结构调控光传播路径、减缓光速以实现光信号处理、激光发射及自发辐射控制的重要材料。传统光子晶体的晶胞尺寸与光波长相当，不适用于亚波长尺度应用。我们在范德瓦尔斯材料（六方氮化硼h-BN）中设计出纳米级孔阵列，该材料能支持超强局域的声子极化激元（PhPs）——即与电磁场耦合的原子晶格振动。这种孔阵列在中红外频段形成晶胞体积仅为10??λ?3（λ?为自由空间波长）的极化激元晶体，其中PhPs产生具有超平坦色散带的超强局域布洛赫模式。远场光谱与近场光学显微镜验证表明，该结构可产生与入射角度和偏振方向无关的尖锐布拉格共振峰。这项发现有望基于范德瓦尔斯材料及其他薄层极性材料，开发新型微型化、宽角度宽偏振适用的中红外窄带耦合器、吸收体及热辐射器件。

    关键词： 范德瓦尔斯材料、近场显微镜、声子极化激元晶体、中红外、六方氮化硼、布拉格共振

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 基于双层六方氮化硼三角形纳米孔的原子尺度流体二极管

    摘要： 基于纳米通道的纳米流体二极管已在生物传感器和逻辑门等应用中进行了理论和实验研究。然而，在分析阿托升级样品或实现芯片实验室设备的高密度集成时，缩小纳米流体通道尺寸具有优势。我们采用分子动力学模拟研究了双层六方氮化硼（h-BN）中纳米孔的电导特性。值得注意的是，研究发现三角形纳米孔对离子电流具有优异的整流性能，而六边形纳米孔则不具备。特别需要强调的是，该孔道长度仅约0.7纳米，接近双极二极管的原子极限尺度。我们确定了小尺寸纳米孔中离子电流I与孔径L之间的标度关系：在正向偏压下I～L1，在反向偏压下I～L2。模拟结果与基于一维泊松-能斯特-普朗克方程推导的理论分析结果定性吻合。

    关键词： 二维纳米孔、流体二极管、六方氮化硼、双层结构、整流

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 一种用于大规模单层六方氮化硼晶体集成制造的剥离方法

    摘要： 六方氮化硼（h-BN）是除石墨外唯一已知由简单、稳定且非褶皱的原子级薄层构成的材料。虽然历史上以粉末形式用作润滑剂，但h-BN薄层作为终极薄绝缘体、屏障或封装材料具有特殊吸引力。目前几乎所有新兴电子和光子器件概念都依赖于从小块晶体剥离的h-BN，这限制了器件尺寸和工艺可扩展性。我们重点系统研究铂催化的h-BN晶体形成机制，通过集成化学气相沉积（CVD）工艺解决单层h-BN的集成难题——该工艺能在45分钟内生长出晶畴尺寸超过0.5毫米且连续融合的h-BN层。该工艺采用商用可重复使用的铂箔，并支持剥离工艺实现轻松洁净的h-BN层转移。我们展示了以原子层精度依次拾取组装石墨烯/h-BN异质结构的方法，同时最大限度减少界面污染。该方案可便捷结合其他层状材料，使CVD制备的h-BN能集成到高质量可靠的二维材料器件层叠结构中。

    关键词： 转移、催化剂、六方氮化硼、石墨烯、化学气相沉积、二维材料、异质结构、铂

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 六方氮化硼在室温下的磁场依赖性量子发射

    摘要： 与宽带隙半导体中缺陷相关的光可寻址自旋是量子信息处理和纳米尺度传感的多功能平台，其中自旋依赖的系间窜越跃迁有助于实现光学自旋初始化和读出。近期，范德瓦尔斯材料六方氮化硼（h-BN）作为量子发射体的稳健载体崭露头角，有望实现高效光子提取和原子级工程调控，但迄今尚未观测到自旋相关效应。本文报道了在h-BN中特定量子发射体上，随外加磁场变化的强各向异性光致发光图案的室温观测结果。稳态光致发光和光子发射统计量随磁场的变化与三重态和单重态能级之间的自旋依赖系间窜越相符，表明h-BN中存在光可寻址的自旋缺陷。

    关键词： 光致发光、室温、量子发射体、磁场、六方氮化硼、自旋缺陷

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 六方氮化硼纳米颗粒增强聚偏氟乙烯纳米复合薄膜的电学与电磁干扰（EMI）屏蔽性能

    摘要： 通过简单通用的溶液浇铸法制备了六方氮化硼纳米颗粒（h-BNNPs）增强的柔性聚偏氟乙烯（PVDF）纳米复合薄膜。阐明了h-BNNPs/PVDF纳米复合薄膜的形貌、热学和电学性能。研究了所制备纳米复合薄膜在X波段频率范围（8-12 GHz）内的电磁干扰（EMI）屏蔽性能。电磁干扰屏蔽效能（SE）从纯PVDF薄膜的1 dB提升至含25 wt% h-BNNPs的h-BNNPs/PVDF纳米复合薄膜的11.21 dB。结果表明，h-BNNPs/PVDF纳米复合薄膜可作为轻质低成本的电磁屏蔽材料。

    关键词： 六方氮化硼、聚偏氟乙烯、扫描电子显微镜、电磁干扰屏蔽、差示扫描量热法、电学性能

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 六方氮化硼上石墨烯纳米带的电子结构

    摘要： 六方氮化硼因其可剥离至仅几个原子厚度且缺陷密度极低，成为构建二维异质结构的理想介电材料。将石墨烯纳米带置于高质量六方氮化硼上，能形成具有超高迁移率的理想准一维系统。鉴于高质量一维电子系统在邻近超导体时可实现马约拉纳束缚态的有效调控，其制备具有重要研究价值。本研究探讨了氮化硼衬底对石墨烯纳米带电子特性的影响，分析了扶手椅型与锯齿型两种纳米带构型。结果表明：特定堆叠构型下，氮化硼会显著改变纳米带的电子结构——特别是锯齿型纳米带边缘因自旋与子晶格自由度存在耦合，六方氮化硼可诱导出极强的自旋极化边缘态能级分裂，该分裂能高达40毫电子伏特。

    关键词： 异质结构、石墨烯纳米带、六方氮化硼、自旋分裂、电子结构

    更新于2025-09-23 15:21:21