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oe1(光电查) - 科学论文

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  • [2018年IEEE第九届信息技术、电子与移动通信年会(IEMCON) - 加拿大不列颠哥伦比亚省温哥华市(2018.11.1-2018.11.3)] 2018年IEEE第九届信息技术、电子与移动通信年会(IEMCON) - 基于碳纳米管场效应晶体管的多级跨阻放大器在血糖监测系统中的应用

    摘要： 本文提出了一种基于碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）的超低功耗、低噪声跨阻放大器（TIA），用于可穿戴设备的电流型血糖监测系统。该级联共源多级TIA采用CNTFET技术设计并实现。研究表明，通过优化碳纳米管数量、管间距和管径可提升TIA性能。该放大器在2nA输入电流下实现了572 MΩ的高跨阻增益、200 MHz带宽及8.3 fA/√Hz的输入参考电流噪声，1.8V供电时总功耗仅为11 pW。

    关键词： 碳纳米管场效应晶体管、跨阻放大器、多级、低功耗、共源共栅

    更新于2025-09-23 10:16:14

  • 采用反向模式SiGe HBT的射频低噪声放大器在极端环境应用中的低温特性研究

    摘要： 本文介绍了抗辐射射频（RF）低噪声放大器（LNA）的低温性能。该LNA最初是为缓解辐射环境中的单粒子瞬态（SET）效应而设计，其核心级联电路采用反型模式硅锗（SiGe）异质结双极晶体管（HBT）。本原型中，上部共基极SiGe HBT配置为反型模式以实现平衡的射频性能并降低SET敏感性。为拓展反型模式LNA在极端环境中的应用，本研究通过液氮测试评估了78K低温下的射频特性。虽然该SiGe LNA在所有温度条件下均表现出可接受的射频性能，但与常规正向模式设计相比，在78K时观察到明显的增益下降，这归因于反型模式SiGe HBT的高频性能限制。作为指导方案，本文讨论了包括版图优化和掺杂分布调整在内的补偿技术以改善观测到的增益退化问题。

    关键词： 低噪声放大器（LNA）、异质结双极晶体管（HBT）、共源共栅、反向模式、极端环境、低温测量、硅锗（SiGe）

    更新于2025-09-11 14:15:04