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oe1(光电查) - 科学论文

3 条数据
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  • [IEEE 2019年第14届计算机工程与系统国际会议（ICCES）- 埃及开罗（2019.12.17-2019.12.17）] 2019年第14届计算机工程与系统国际会议（ICCES）- 不同长度尺度嵌套构型中的硅光子耦合环形谐振器

    摘要： 硅光子学正持续发展，应用于数据中心、微型传感器和原子钟等日益增多的领域。该发展涉及技术平台的创建、创新器件的设计以及制造公差评估模型与方法的开发。我们的研究提出了一种新型硅光子耦合环形谐振腔结构——通过调节环形长度实现数量级差异，并针对该结构进行灵敏度分析。该设计包含一个472.6微米（亚毫米级）的长跑道形谐振腔，其内部嵌套半径为25微米的环形谐振腔（该半径经优化以最小化弯曲损耗）。定向耦合器的耦合比设计为97/3。该结构由IMEC制造工厂采用DUV光刻和ePIXfab硅刻蚀工艺制备。分析表明，即使存在合理制造公差，该结构仍能实现比传统结构更高的精细度。实验测得精细度约25，品质因数约17,000。该结构可提升光学传感与滤波性能。

    关键词： 集成传感器、硅光子学、制造公差、精细度增强、嵌套滤波器、环形谐振器

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 基于逆向工程优化的稳健硅基3分贝耦合器

    摘要： 我们提出一种优化方案，旨在提升硅基3分贝耦合器的宽带操作性能与工艺容差下的绝热性。通过基于不变量的逆向工程方法，我们在确保器件参数平滑的前提下，使系统演化过程尽可能接近绝热状态。采用该逆向工程优化方案后，获得了一款长度为125微米的硅基3分贝耦合器——其在1.4至1.7微米波长范围内最大不平衡度仅0.8分贝，且具备良好的工艺容差特性。优化后的波导宽度与间距分布均呈现平滑特性。

    关键词： 宽带操作，逆向工程，制造公差，硅基3分贝耦合器，绝热性

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 一种可集成的全硅开槽光子晶体拉曼激光器

    摘要： 基于槽型光子晶体纳米腔，提出了一种占地面积为7微米的可集成全硅拉曼激光器设计方案。该槽体采用硅纳米晶材料构建，既能利用其巨大的拉曼增益系数，又可实现光场的强空间与时间约束，在1552纳米波长下展现出17.8%的激光效率。仿真表明该器件仅需约0.5微瓦的超低光学阈值功率。研究还评估了制造缺陷的容忍度，发现当孔径半径和平面位置等结构参数存在6%的随机偏差时，器件性能仍能保持稳定。仿真进一步证实，即使品质因数和模态体积出现超过30%的大幅劣化，亚微瓦级阈值特性依然得以维持，这充分验证了该器件的可实现性。

    关键词： 制造公差、光子晶体纳米腔、硅纳米晶体、激光效率、全硅拉曼激光器

    更新于2025-09-12 10:27:22