修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

65 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • 使用巯基硅烷单层稳定有机光伏中的银窗电极

    摘要： 研究表明，单层双功能分子3-巯基丙基三甲氧基硅烷能显著提升光学薄银膜电极抵抗空气中硫引发的形态自发变化与氧化的稳定性。将该分子层置于新型透明电极（WO3(30纳米)/银(13纳米)/溶胶-凝胶ZnO(27纳米)）的银/ZnO界面后，采用此电极的有机光伏器件效率提升20%，其功率转换效率(9.6%±0.2%)已非常接近传统氧化铟锡玻璃电极(10.0%±0.3%)，且银电极方阻仅为ITO玻璃的三分之一(4欧姆/平方)。该巯基硅烷单层还能抑制银向ZnO层扩散，同时使电极功函数有利降低约400毫电子伏。除器件内部应用外，该分子层还可通过气相直接沉积于成品器件表面，有效提升顶光照半透明光伏中银膜电极的稳定性。

    关键词： 有机光伏、硅烷、透明电极、银电极、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、单层膜、功函数、有机太阳能电池

    更新于2025-11-03 10:59:25

  • 碱金属吸附的g-GaN单层：超低功函数与光学性质

    摘要： 采用密度泛函理论研究了碱金属吸附类石墨烯氮化镓(g-GaN)的电子和光学性质。结果表明，碱金属吸附的g-GaN体系是稳定的化合物，其中最稳定的吸附位点是六边形环的中心。此外，由于碱金属原子向主体材料的电荷转移，g-GaN层表现出明显的n型掺杂行为。碱金属原子通过化学吸附方式附着于g-GaN表面。更重要的是，碱金属原子吸附后g-GaN的功函数显著降低。具体而言，Cs吸附的g-GaN体系显示出0.84 eV的超低功函数，在场发射器件中具有巨大应用潜力。此外，碱金属吸附还能提高g-GaN的静态介电常数并扩展其吸收光谱范围。

    关键词： 密度泛函理论，光学性质，场发射器件，吸附，功函数，G-GaN

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 具有低阈值电压<5 V的混合ZnON-有机发光晶体管

    摘要： 研究了采用n型半导体氧氮化锌（ZnON）作为电子传输层、聚对苯乙烯撑基共聚物Super Yellow（SY）作为发光层制备的无机-有机杂化发光晶体管（HLETs）的电学与光学特性。同时探究了不同功函数（分别为4.1、4.6和5.1 eV）的源极（S）-漏极（D）电极（Al、Ag和Au）对器件性能的影响。为提高金属电极的空穴注入速率及增强发光层的空穴积累，还研究了氧化钼（MoOx）中间层的作用。结果表明：采用MoOx/Au空穴注入电极的优化器件在4.79 V低阈值电压下可获得高达3.04×10^4 cd·m^-2的亮度。本研究揭示了S-D电极功函数在HLETs中的关键作用，相关发现可为未来提升光电器件性能提供重要参考。

    关键词： 锌氧氮化物、发光晶体管、功函数、超黄光、低阈值电压

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • Au2Cl6掺杂对石墨烯稳定性和功函数的影响

    摘要： 基于密度泛函理论的第一性原理方法被用于研究掺杂Au2Cl6的双层石墨烯的功函数和稳定性。结果表明，与常见的表面掺杂方法类似，Au2Cl6层间掺杂显著提高了石墨烯的功函数并成功获得了p型石墨烯。此外，通过层间掺杂获得的p型石墨烯比表面掺杂具有更好的稳定性。考虑到稳定性差是表面掺杂p型石墨烯实际应用中面临的主要问题，本研究表明Au2Cl6的层间掺杂是一种有前景的p型石墨烯制备方法。

    关键词： 第一性原理，石墨烯，Au2Cl6分子，功函数

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 具有层依赖特性的二维β-InSe：能带排列、功函数与光学性质

    摘要： 已有研究报道了通过密度泛函理论计算β-InSe的层（L）依赖性电子能带结构、功函数及光学性质。由于β-InSe中的量子尺寸效应（QSEs），其能带结构从块体β-InSe到少层β-InSe呈现直接带隙向间接带隙的转变。功函数从1层时的5.22 eV单调递减至6层时的5.0 eV，随后在7层和8层保持4.99 eV不变，最终降至块体β-InSe的4.77 eV。对于光学性质，介电函数的虚部对厚度变化具有强依赖性。二维层状材料中的层数控制为调控层依赖性性质提供了有效策略，这些性质在下一代高性能电子和光电器件中具有潜在应用价值。

    关键词： 光学性质、层依赖性、密度泛函理论、硒化铟、功函数

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 防止α-Cr2O3/α-Fe2O3 (0001)界面氢损伤

    摘要： 基于密度泛函理论的第一性原理计算，我们研究了二维α-Cr2O3/α-Fe2O3(0001)界面结构中空位捕获对氢损伤的抑制作用。计算表明，在无缺陷的界面结构中，氢原子倾向于占据界面中心未占用的氧原子八面体间隙位(O位点)，这会削弱铁氧原子的解理强度，降低界面结构功函数和稳定性。为防止该界面结构的氢损伤，我们分别构建了铁空位、铬空位和氧空位三种缺陷模型。与氧空位相比，具有较低氢结合能和较高功函数的铁空位及铬空位表现出更优的氢捕获能力。这些结果证实铁和铬空位缺陷能有效捕获氢原子从而防止钢钝化膜的氢损伤，具有重要的实际应用价值。

    关键词： 界面结构、铁空位、氢捕获、功函数

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • Bi2Se3上的Cs吸附

    摘要： Bi2Se3是一种拓扑绝缘体，其独特性质源于带隙中的拓扑表面态（TSS）。通过低能离子散射和功函数测量研究了Cs在Bi2Se3表面的吸附行为。大部分沉积的Cs迅速扩散至台阶边缘形成一维正电荷吸附原子链，同时部分沉积在平台区域。功函数持续降低直至覆盖度达到0.1单层，此后略微回升。功函数最小值源于当链中吸附原子浓度达到临界值时所诱导偶极子的退极化效应。通过Na+散射中和过程及功函数随时间的变化，还观察到吸附Cs从平台向台阶边缘的缓慢扩散现象。通过对比Bi与Se散射Na+的中和情况，证实了TSS中导电电荷主要分布于第一与第二原子层之间。

    关键词： 拓扑绝缘体、碱金属吸附、功函数、低能离子散射

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 单乙醇胺在TiO2(110)表面的缺陷相关吸附：调控氧化物电极功函数的替代途径

    摘要： 控制缺陷是调控材料电子结构的基本策略之一，而有机-无机杂化体系在此方面的研究尚不充分。本研究通过扫描隧道显微镜与第一性原理计算，在单分子层面探究了缺陷关联的分子吸附对氧化物电极功函数的控制。研究发现，作为有效降低氧化物电极功函数涂层的乙醇胺（MEA，HO(CH2)2NH2）在TiO2(110)表面的平衡吸附构型随表面覆盖度变化而改变。结果表明：氧化物表面缺陷与分子间相互作用共同主导着吸附物的稳定构型及体系功函数。在氧空位(Ov)处的解离吸附能更有效地降低TiO2(110)表面功函数，这表明通过缺陷控制可提升有机-无机杂化体系的性能。

    关键词： STM（扫描隧道显微镜）、功函数、DFT（密度泛函理论）、TiO?(110)表面、缺陷、单乙醇胺

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • [IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议（IVNC）- 日本京都（2018年7月9日至13日）] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议（IVNC）- 利用光发射电子显微镜和场发射显微镜测量Er-Oxide/W(100)表面的功函数

    摘要： 为实现高性能电子源，需要采用低功函数的阴极材料。我们利用光发射电子显微镜测量了经Er2O3修饰的W(100)表面功函数，测得Er氧化物/W(100)表面功函数为2.86电子伏特。通过Er氧化物/W发射体测量场发射特性，并采用N-F曲线估算功函数。

    关键词： 功函数，W(100)表面，氧化铒，光电子发射显微镜（PEEM）

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • [IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都(2018年7月9日至13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 极化硼二维原子晶体的功函数

    摘要： 我们讨论了采用第一性原理计算方法来计算极性材料的功函数。随后以二维硼原子晶体为例进行研究。研究发现：当碱金属原子仅吸附在硼片单侧表面时，含吸附原子的表面功函数会因碱金属吸附质而降低，而另一表面功函数不受影响。该现象归因于碱金属原子与硼片之间的极化作用。

    关键词： 功函数，二维原子晶体，硼

    更新于2025-09-23 15:21:21