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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 基于量子点光子的纠缠传态：迈向固态量子网络

    摘要： 半导体量子点正成为最具前景的非经典光源之一，有望为未来量子网络奠定基础。它们能以前所未有的亮度、不可区分性和纠缠度产生单光子及纠缠光子对。这些特性最近使得执行高级量子光学协议成为可能——这类协议此前对单个量子发射体而言难以实现。本研究报道了两项利用纠缠非局域性实现量子态隐形传态的实验：三光子态隐形传态与四光子纠缠隐形传态。我们结合所建立的理论模型（该模型解释了量子源的非理想性）讨论全部实验结果。理论与实验的高度吻合使我们深入理解了量子源各参数如何影响传态保真度，并明确了突破经典极限所需条件。最终，我们的模型指明了如何进一步改进量子点纠缠光子源以实现实用化量子网络。

    关键词： 量子隐形传态、纠缠交换、量子光学、半导体物理、量子纠缠、量子点

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [2019年IEEE国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 意大利乌迪内（2019.9.4-2019.9.6）] 2019年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - ATOMOS：一种针对超尺度二硫化铪和黑磷MOSFET中耗散性DFT输运的原子级建模求解器

    摘要： 我们开发并采用了一种基于先进密度泛函理论-非平衡格林函数（DFT-NEGF）的原子尺度建模求解器（ATOMOS），用于评估栅极长度低至5纳米的各种单层过渡金属二硫化物与黑磷（BP）MOSFET的物理特性及基础性能潜力，包括电子-声子散射效应。本研究表明二硫化铪（HfS2）具有良好的可扩展性与驱动电流潜力，并揭示了光学声子散射对黑磷的影响。

    关键词： 密度泛函理论非平衡格林函数、互补金属氧化物半导体、二维材料、半导体物理、量子输运

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 压电电子学与压电光电子学理论

    摘要： 压电电子学和压电光电子学器件具有高性能，在下一代自供电、柔性电子及可穿戴系统领域尤其展现出应用潜力。这些器件中，结区、接触点或界面处由应变诱导产生的压电场能显著调控载流子的产生、复合与输运特性。该机制已基于压电电子学与压电光电子学理论展开研究。通过有限元法、密度泛函理论和分子动力学等方法驱动的材料设计与器件改进，极大推动了高性能器件的实现。动态压电场还能调控拓扑绝缘体等量子材料中的新量子态，为提升器件性能及探索量子压电电子学与压电光电子学的基础物理开辟了新途径。

    关键词： 压电光电子学、压电电子学、压电场、量子材料、半导体物理

    更新于2025-09-04 15:30:14