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[2019年IEEE国际天线与传播研讨会暨USNC-URSI无线电科学会议 - 美国佐治亚州亚特兰大市（2019年7月7日-12日）] 2019年IEEE国际天线与传播研讨会暨USNC-URSI无线电科学会议 - 一种用于分析等离子体光电混频器的单元不连续伽辽金方案
摘要： 无序离子键合过渡金属氧化物薄膜晶体管（TFT）在多种直流和射频开关应用中展现出潜力，尤其适用于能发挥其低温、与衬底无关的工艺集成优势的场景。本文制备了增强型氧化锌TFT并评估其开关性能。动态电流-电压测试表明，这些TFT具有0.6 A/mm的漏极电流密度和极小的频率色散。实验测得0.75微米长沟道器件的高频功率开关优值RON·QG为359 mΩ·nC（RON为导通态漏源电阻，QG为栅极电荷），通过尺寸缩减可使11V耐压器件达到45.9 mΩ·nC。相同0.75微米TFT实测射频开关截止频率fc达25GHz，经优化后fc有望突破500GHz，功率处理能力可达数十瓦量级。
关键词： 氧化锌，直流开关，截止频率，脉冲测量，栅极电荷，单片集成电路，射频开关，离子半导体，薄膜晶体管（TFT）
更新于2025-09-23 15:19:57
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[2019年IEEE/CVF国际计算机视觉会议(ICCV) - 韩国首尔(2019.10.27-2019.11.2)] 2019 IEEE/CVF国际计算机视觉会议(ICCV) - 基于单幅图像的精细人体深度估计神经网络
摘要： 无序离子键合过渡金属氧化物薄膜晶体管（TFTs）在多种直流和射频开关应用中展现出潜力，尤其适用于能发挥其低温、与衬底无关工艺集成优势的场景。本文制备了增强型氧化锌TFTs并评估其开关性能。动态电流-电压测试表明，这些TFTs具有0.6 A/mm的漏极电流密度和极小的频率色散。实验测得0.75微米长沟道器件的高频功率开关优值RON·QG为359 mΩ·nC（其中RON为导通态漏源电阻，QG为栅极电荷），通过尺寸缩减可使11V额定器件达到45.9 mΩ·nC。相同0.75微米TFT测得射频开关截止频率fc为25 GHz，经优化后预计fc可超500 GHz并实现数十瓦功率处理能力。
关键词： 单片集成电路、脉冲测量、氧化锌、栅极电荷、直流开关、离子半导体、射频开关、薄膜晶体管（TFT）、截止频率
更新于2025-09-19 17:13:59
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面向量子计算集成电路的22纳米FDSOI CMOS技术低温特性研究
摘要： 提出了一种实现大规模、"高温"高保真量子计算集成电路的方法，该方法基于与毫米波自旋操控及读出电路技术单片集成的单/多耦合量子点电子/空穴自旋量子比特。对最小尺寸的6nm×20nm×80nm硅沟道n型MOSFET（电子自旋量子比特）、硅锗沟道p型MOSFET（空穴自旋量子比特）以及双量子点互补量子比特的测量显示，在2K温度下亚阈值区存在强量子效应——这是量子点共振隧穿的特征。自旋读出用跨阻放大器（TIA）的S参数测量表明其性能从300K到2K得到提升。最终该量子比特-TIA电路具有50Ω输出阻抗、78dBΩ跨阻增益和70GHz单位增益带宽，功耗为3.1mW。
关键词： 互补金属氧化物半导体、绝缘体上硅、量子信息处理、射频、单片集成电路、半导体量子点、硅、低温学
更新于2025-09-10 09:29:36