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三栅极硅纳米线场效应晶体管的电导调节灵敏度
摘要： 采用电流瞬态直接测量法研究了SOI三栅硅纳米线的单粒子瞬态(SET)响应。通过两个步骤将收集电荷分布与模拟结果进行对比：一是使用详细的电荷产生描述进行沉积能量的蒙特卡罗模拟，二是进行收集电荷的TCAD模拟，获得了与实验数据良好的一致性。因此，现有模拟工具经过少量优化后即可用于此类集成器件的模拟。对SET的分析表明，收集到的电荷值既低于根据线性能量转移(LET)估算的电荷，也低于纳米线中实际产生的电荷，揭示了纳米线器件对高LET离子的有限敏感性。
关键词： 纳米线、单粒子效应瞬态（SEE）、单粒子瞬态（Single - Event Transient）、超薄绝缘体上硅（Ultra - Thin SOI）、粒子 - 物质相互作用、单粒子效应（Single - Event Effect）、Geant4、鳍式场效应晶体管（FinFET）、技术计算机辅助设计（TCAD）、多栅极、模拟、单粒子瞬态（SET）、实验
更新于2025-09-23 15:21:01
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一种模拟重离子电荷沉积剖面的脉冲激光测试新方法
摘要： 一种用于双光子吸收（TPA）脉冲激光测试的新方法，能产生与重离子相似的扩展电荷沉积剖面。该方法采用轴锥镜而非球面透镜，将传统高斯光束替换为准贝塞尔光束。准贝塞尔光束的关键特性——其径向尺寸（约1微米）在光束轴向长度（数百微米量级）内保持恒定——使其电荷沉积剖面更接近重离子产生的效果，这对脉冲激光单粒子效应（PL-SEE）研究至关重要。这种延长的电荷分布可直接通过线性能量转移（LET）进行简洁直观的描述，从而便于开展激光/离子关联研究。实验对比了传统TPA PL-SEE聚焦几何结构与轴锥镜聚焦几何结构在三种测试载体上的表现：45纳米SOI nFET、体硅光电二极管和LM124运算放大器。采用轴锥镜方法时，在宽LET范围内观测到硅光电二极管单粒子瞬态（SET）的强激光/离子关联性。该关联性通过"调谐"激光至目标LET值实现，而非依赖既有重离子数据，因此有望成为一种预测工具。
关键词： 单粒子效应（SEE）、硅、相关性方法、单粒子瞬态（SET）、重离子测试、脉冲激光、双光子吸收、线性能量转移（LET）
更新于2025-09-12 10:27:22