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可切换肖特基接触：同时增强输出电流并降低漏电流
摘要： 金属-半导体接触是纳米电子学和原子尺度集成电路的关键组件。这类器件中肖特基二极管具有低正向电压和极快开关速率的优势，但存在反向漏电流高的缺陷。传统硅基肖特基二极管在提升反向偏置特性时，通?；崴鸷ζ湔虻缪瓜碌男阅埽庠谖锢砩媳蝗衔岩允迪?。然而本工作提出：通过利用有机分子在金属表面不同吸附态之间的可逆转变，这一设计难题可在有机基二极管中得到解决。基于先前铜(111)面上蒽并二噻吩可控吸附构型的实验观察，我们采用密度泛函理论模拟证实了两种吸附态具有显著差异的肖特基势垒高度——化学吸附态诱导的反向偏置产生较高势垒从而降低漏电流；而物理吸附态诱导的正向偏置形成较低势垒进而获得更大输出电流。非平衡格林函数输运计算进一步验证了这种整流行为。
关键词： 范德华力、肖特基接触、肖特基势垒高度、反向漏电流、双稳态
更新于2025-09-23 15:23:52
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具有局部击穿导电通道的高性能平面型InGaN基发光二极管
摘要： 研究人员利用局部击穿导电通道（LBCC）技术研制出无n型接触电极的平面型InGaN基发光二极管（LED），并探究了InGaN量子阱（QWs）中In含量对局部击穿现象的影响。电致发光与X射线分析表明：随着InGaN QWs中In含量增加，其均匀性与结晶质量下降，导致反向漏电流增大、击穿电压降低。当施加数毫安反向电流时，GaN基LED上会形成LBCC。LED中InGaN QWs的In含量越高，LBCC的表面尺寸与各向异性形态越显著。基于此技术成功开发出无n型电极的平面型InGaN LED。值得注意的是，LBCC电阻随InGaN QWs中In含量增加而降低，这使得无n型接触电极的平面型InGaN基LED具有更低电阻与更强发光性能。
关键词： 发光二极管、反向漏电流、量子阱、击穿电压、氮化铟镓、局部击穿导电通道
更新于2025-09-12 10:27:22
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采用溅射AlN缓冲层的GaInN基LED反向漏电流改善
摘要： 本研究首次报道了在氮化镓铟基绿光发光二极管（LED）中采用溅射（SP）-氮化铝（AlN）缓冲层改善反向漏电流特性的成果。为探究改善机理，我们对反向漏电流特性进行了详细梳理与深入分析。研究确认该改善主要源于采用常规低温氮化镓缓冲层的替代方案有效抑制了变程跳跃传导过程，并验证了螺位错与V型缺陷会加剧变程跳跃传导效应。我们认为该研究将有助于实现具备高可靠性、长寿命及优异电学鲁棒性的绿光LED器件。
关键词： 反向漏电流、点状局部发射、发光二极管、弗伦克尔-普尔发射、变程跳跃传导
更新于2025-09-11 14:15:04