用于硅太阳能电池的热丝化学气相沉积法生长p+多晶硅

摘要： 热丝化学气相沉积（HWCVD）被探索作为生长光伏器件用硼掺杂硅的方法。通过为HWCVD设备内两种不同灯丝构型定制的监测系统测量沉积温度。本文提出一种改进的制备工艺，采用改良的灯丝排列方式，目前通过HWCVD生长硼掺杂硅薄膜时可实现最高535°C的沉积温度，并包含800°C下2分钟的短时沉积后退火处理。透射电子显微镜显示界面质量得到改善，且退火处理后晶粒尺寸增大。此外，拉曼光谱证实了短时退火下沉积态非晶硅薄膜的重结晶现象?；诎堤缌?电压测试，形貌的改善转化为整流电流的提升。二次离子质谱分析进一步证实了这一结果，显示出p+特性并在1021 cm?3量级呈现均匀掺杂。