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激光加热对双层WSe?表面层的选择性氧化
摘要: WSe2薄膜在面内与面外方向上存在多种各向异性,这影响了其对外部操作的响应?;谡庑└飨蛞煨蕴卣?,我们通过精准调控热传导实现了双层WSe2表面层的选择性氧化,并运用光学显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱及光致发光测量技术,对覆盖氧化层的单层WSe2结构进行了表征。此外,研究发现激光处理覆盖氧化层的单层WSe2可能引发光活化氧化现象。这些观测结果为理解低维氧化行为提供了重要线索。
关键词: 各向异性、激光加热、二硒化钨、选择性氧化、光致发光
更新于2025-09-12 10:27:22
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[2019年IEEE/MTT-S国际微波研讨会(IMS 2019)- 美国马萨诸塞州波士顿(2019年6月2日-6月7日)] 2019年IEEE MTT-S国际微波研讨会(IMS)- 基于离散模匹配方法的非均匀各向异性介质波导分析
摘要: 本文旨在介绍离散模匹配(DMM)方法的扩展应用,用于分析具有非均匀介质层的多层微波结构。研究考虑了含损耗和/或各向异性(电性与磁性)材料的结构。该方法通过全波等效电路建立系统方程,给出了数学表述,并通过分析多种波导结构验证其应用效果。通过与公开文献对比验证,结果表明两者具有良好的一致性。
关键词: 非均匀介质、介电波导、各向异性
更新于2025-09-12 10:27:22
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[IEEE 2019年第15届电信国际会议(ConTEL) - 奥地利格拉茨 (2019.7.3-2019.7.5)] 2019年第15届电信国际会议(ConTEL) - 波束质量因子及其对OWC中激光束通过各向异性湍流的影响
摘要: 在光无线通信(OWC)中,光束质量因子是评估激光束通过大气湍流传播的重要参数。我们采用广义各向异性非柯尔莫哥洛夫功率谱研究了光束质量因子及其对激光束的影响,从而能够综合考虑湍流的各向异性特性、广义谱幂律以及湍流内外尺度。我们推导出了最低阶高斯光束和更高阶厄米-高斯光束的光束质量因子新表达式,并分析了光束质量因子对湍流中光束强度的影响。数值结果表明了不同湍流参数对光束质量因子进而对激光束传播的影响,这为自由空间光无线通信提供了更好的理解。
关键词: 光束质量因子、内尺度与外尺度、非柯尔莫戈洛夫湍流、各向异性、广义光谱幂律
更新于2025-09-12 10:27:22
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填充手性介质的各向异性金狭缝光栅中巨大的等离子体诱导圆转换二色性
摘要: 我们报道了填充手性介质的金色狭缝光栅(GSGCM)在透射中产生的巨大等离子体诱导(PI)圆转换二向色性(CCDT)以及反射中产生的PI未转换CD效应(unCCDR)。CCDT和unCCDR分别源于透射矩阵非对角元素与反射矩阵对角元素之差,且均源自手性与各向异性。研究表明,等离子体共振波段内的PI-CCDT与PI-unCCDR产生于手性介质固有手征光学共振与金色狭缝光栅等离子体共振的耦合,其中手性介质手征参数ξ的实部在耦合过程中起主导作用。本研究严格分析了各向同性手性介质板、各向异性手性介质光栅、金色狭缝光栅及GSGCM。研究清晰揭示了各向异性与各向同性系统中PI手征光学效应的差异,未来有望应用于生物传感器及纳米光子器件领域。
关键词: 金狭缝光栅、生物传感器、等离子体诱导圆转换二向色性、纳米光子器件、各向异性、手性介质
更新于2025-09-12 10:27:22
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分子束外延生长参数对GaSb/GaAs量子点形貌的影响
摘要: 本文介绍了采用分子束外延技术生长自组装II型GaSb/GaAs量子点的研究。分析了衬底温度、Sb/Ga束流等效压强比、生长速率及总单原子层覆盖度等生长参数对表面形貌的影响。在特定生长条件下,GaSb量子点沿<110>和<1-10>方向呈现显著各向异性。该各向异性现象通过背景砷的掺入以及镓吸附原子在GaSb表面的各向异性扩散进行了解释。对GaAs覆盖样品的低温光致发光测量显示,II型量子点与浸润层均存在复合发光。
关键词: 自组装过程、各向异性、分子束外延、II型量子点、斯特朗斯基-克拉斯坦诺夫生长模式
更新于2025-09-12 10:27:22
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各向异性金纳米粒子对光敏剂等离子体耦合及抗菌薄膜影响的研究。
摘要: 为避免耐药菌传播,开发具有杀菌功能的抗菌表面十分必要。通过纳米粒子与光敏染料的相互作用,光照可激活抗菌表面,实现对细菌的持续高效杀灭。本研究采用的薄膜包含长度32纳米、直径16纳米的金纳米棒(AuNRs)和直径50纳米的金纳米星(AuNSs),并复合结晶紫染料(CV)。通过数学模拟和表征研究了薄膜所用纳米粒子的表面等离子体共振(SPR)特性,以理解不同粒子间的SPR差异。研究分析了这些粒子与染料的等离子体耦合效应,以及由此产生的活性氧(ROS)生成情况和薄膜的杀菌活性。实验表明:经4小时光照后,该薄膜对革兰氏阴性菌(大肠杆菌)表现出强效杀菌作用——修饰AuNSs的薄膜可实现5个数量级(5-log)杀菌,修饰AuNRs的薄膜达到4个数量级(4-log)杀菌。对革兰氏阳性菌(金黄色葡萄球菌)则保持部分活性:含AuNSs的薄膜可杀灭2.5个数量级,含AuNRs的薄膜能杀灭3个数量级。革兰氏阴/阳性菌对薄膜产生ROS的差异化响应,使得该技术能针对特定菌种实现精准杀菌,例如主要污染革兰氏阴性菌的便盆表面,或主要污染革兰氏阳性菌的公共接触面(门把手、扶手等)。
关键词: 各向异性、光激活、非接触式灭菌、抗菌表面、模拟、等离子体耦合
更新于2025-09-12 10:27:22
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纯电感耦合SF<sub>6</sub>等离子体中各向同性硅刻蚀特性
摘要: 对纯电感耦合SF6等离子体中硅各向同性刻蚀的特性进行了定量研究。由于刻蚀结果强烈依赖于掩模特征,作者同时研究了大面积和窄沟槽的刻蚀特性。采用直径500微米的圆形区域作为未图形化表面的替代样本,通过不同刻蚀时长测定材料刻蚀速率与表面粗糙度,发现选定工艺配方的平均刻蚀速率为2.27微米/分钟。此外还刻蚀了宽度8至28微米的窄沟槽阵列,以分析沟槽尺寸对刻蚀速率和各向异性程度的影响,结果表明沟槽刻蚀速率随宽度减小而显著降低。研究证实,各向同性SF6刻蚀可便捷替代XeF2等特殊硅气相刻蚀化学工艺。
关键词: 刻蚀速率,硅,各向同性刻蚀,六氟化硫等离子体,感应耦合等离子体,各向异性
更新于2025-09-12 10:27:22
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[IEEE 2019年第21届透明光网络国际会议(ICTON) - 法国昂热(2019.7.9-2019.7.13)] 2019年第21届透明光网络国际会议(ICTON) - 光子器件用III-V族半导体的可控氧化
摘要: III-V族半导体的氧化是(单模)垂直腔面发射激光器大规模量产以及最新集成光子器件制造中的关键工艺环节。为推动VCSEL在新兴市场的应用,并维持上述前沿技术的持续发展,必须以更高精度和可靠性控制含铝III-V族半导体埋层选择性侧向氧化形成的光学/电学孔径形貌与尺寸。本文综述了我们近期针对该氧化过程开展的实验研究与模型开发工作,重点揭示其各向异性程度受氧化工艺条件影响,且通过精心设计用于实现埋层氧化的刻蚀台面结构,可有效缓解该各向异性导致的不良形貌畸变。
关键词: 氧化,垂直腔面发射激光器,波导,氧化铝,各向异性
更新于2025-09-12 10:27:22
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三维激光扫描揭示的节理粗糙系数几何非均质性
摘要: 节理粗糙度系数(JRC)是表征节理岩体物理力学行为的重要指标。为研究JRC的分布特征,从关山铁路隧道采集了31个优势产状为209°∠71°的同一节理组样本,并采用三维激光扫描技术对节理样本形态进行数字化处理?;诜中卫砺刍袢〔煌较虻腏RC值,并在计算过程中评估采样间隔对JRC的影响。结果表明:剖面线与数字点两种采样间隔均会影响计算所得JRC值。随着采样间隔增大,存在使JRC值由恒定转为变化的明显阈值。当剖面线采样间隔小于阈值(4毫米)时JRC值保持恒定,该特性与节理粗糙程度无关;而数字点采样间隔阈值受节理粗糙度影响,与JRC值呈负指数关系。通过对31个节理样本多方向JRC值的计算发现,其呈现显著各向异性且在特定方向上变化幅度较大。同时验证了同方向JRC值符合对数正态分布规律?;诟怕拭芏群扑愕脑て贘RC值普遍大于算术平均值(最大差值达23.1%)??悸堑阶匀环植继卣?,概率密度函数计算的预期JRC值比算术平均值更具可靠性。因此,准确理解JRC几何异质性这一节理粗糙度自然属性,将对岩体结构力学效应评估产生重要影响。
关键词: 对数正态分布、采样效应、各向异性、节理粗糙系数
更新于2025-09-11 14:15:04
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铝-III-V族半导体的各向异性侧向氧化:逆问题与圆形孔径制备
摘要: 含铝III-V族半导体的横向湿法氧化是一种将埋藏(薄层)晶体材料转化为非晶绝缘体的工艺技术,因此通常表现出各向异性特征。这导致半导体与绝缘体之间的界面形状(常称为氧化孔径)与氧化起始的刻蚀台面轮廓存在差异。这种差异使得依赖该工艺的器件设计更为复杂,尤其在需要特定氧化图案时尤为明显。本文提出一种基于形态学膨胀的方法,可在适度范围内通过各向异性氧化确定能形成特定目标轮廓的台面形状。该方法通过制备圆形氧化孔径进行了实验验证——这类高对称性结构本就难以制造,但对实现高效单模垂直腔面发射激光器却具有关键意义。
关键词: 氧化铝,氧化,各向异性,垂直腔面发射激光器
更新于2025-09-11 14:15:04